Microchip Technology Inc.

Die neuen SiC-basierten Leistungsmodule sollen die Schalteffizienz erhöhen, die Wärmeentwicklung reduzieren und eine kleinere Stellfläche ermöglichen.

Bild: Microchip

Siliziumkarbid-Module Stromversorgungssysteme mit langer Lebensdauer entwickeln

19.03.2020

Die Nachfrage nach Designs auf Basis von Siliziumkarbid wächst rasant. Denn damit lassen sich höhere Wirkungsgrade erzielen, während Größe und Gewicht sinken. Microchip hat nun neue Leistungselektronik-Module auf SiC-Basis vorgestellt, mit denen sich innovative Stromversorgungen entwickeln lassen.

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Microchip erweitert sein Sortiment um neue SiC-Leistungselektronik-Module. Das Angebot umfasst kommerzielle Leistungsmodule auf Basis der Schottky-Barrier-Diode (SBD) in den Varianten 700, 1.200 und 1.700 V. Es sind verschiedene Topologien erhältlich, so etwa Dual-Diode, Vollbrücke, Phasenstrang, duale gemeinsame Kathode und Drei-Phasen-Brücke.

Die Module bieten ebenfalls unterschiedliche Strom- und Gehäuse-Optionen. Dadurch sollen sich innovative Stromversorgungslösungen entwickeln lassen. Einsätze für SiC-Leistungselektronik finden sich in Elektrofahrzeugen, Ladestationen, intelligenten Stromnetzen und in Stromversorgungssystemen für die Industrie und Flugzeuge.

„SiC-Technologie ist entscheidend für heutige Neuerungen“

Der Einbau von SiC-SBD-Modulen vereinfacht das Design durch mehrere SiC-Dioden-ICs mit der Option, Substrat- und Baseplate-Material in einem einzigen Modul zu vereinen und anzupassen. Dies soll die Schalteffizienz vergrößern und gleichzeitig die Wärmeentwicklung sowie den Platzbedarf reduzieren.

„Die Einführung und Erweiterung der SiC-Technologie ist entscheidend für heutige Neuerungen“, sagt Leon Gross, Vice President der Discrete Product Group Business Unit bei Microchip. „Von der Definition bis zur Produktfreigabe bietet unsere SiC-Technologie Zuverlässigkeit und Robustheit und hilft Entwicklern von Stromversorgungssystemen, eine lange Lebensdauer ohne Leistungseinbußen zu erzielen.“

Das Angebot von SiC-SBD-Modulen mit 700, 1.200 und 1.700 V basiert auf Microchips neuer Generation von SiC-ICs. Die hohe Lawinenleistungsfähigkeit der Bausteine verringert den Bedarf an Dämpfungs-/Snubberschaltkreisen, und die Stabilität der Body-Diode soll sicherstellen, dass die interne Body-Diode ohne langfristige Beeinträchtigung bestmöglich arbeitet.

Entwicklungstools und Verfügbarkeit

Als Tools stehen eine 30-kW-Drei-Phasen-Vienna-Leistungsfaktorkorrektur, diskrete SiC- und SP3-/SP6LI-Modul-Antriebsreferenzdesigns/-boards zur Verfügung. Sie verkürzen laut Microchip die Entwicklungsdauer.

Erhältlich sind die neuen SiC-SBD-Leistungsmodule ab sofort. Das komplette SiC-Angebot wird durch SiC-Spice-Modelle, Referenzdesigns für SiC-Treiberboards und ein PFC-Vienna-Referenzdesign unterstützt. Es ist in Serienstückzahlen erhältlich, zusammen mit entsprechendem Support. Für die SiC-MOSFETs und SiC-Dioden stehen verschiedene Chip- und Gehäuse-Optionen zur Verfügung.

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