Das Landgericht München I hat in einem Patentverletzungsverfahren zwischen Infineon und Innoscience im Bereich der Galliumnitrid (GaN)-Technologie zugunsten von Infineon Technologies erstinstanzlich entschieden. In dem Verfahren geht es um die unerlaubte Nutzung der von Infineon patentierten GaN-Technologien durch Innoscience. GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und Elektrofahrzeuge.
Mit der Entscheidung hat das Landgericht München I festgestellt, dass ein Patent von Infineon durch GaN-Produkte, die Innoscience in Deutschland anbietet, verletzt werden. Mit dieser Entscheidung wird Innoscience insbesondere verboten, die patentverletzenden Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen und zu vermarkten. Darüber hinaus verpflichtet das Gericht Innoscience zur Zahlung von Schadenersatz an Infineon.
Patentschutz als Basis für fairen Wettbewerb und technologische Souveränität
Das Gerichtsurteil unterstreicht den Wert von Infineons Leistungen im Bereich der GaN-Technologie sowie das anhaltende Engagement des Unternehmens für einen fairen Wettbewerb. „Die Entscheidungen zeigen die Stärke des Patentportfolios von Infineon und sie beweisen darüber hinaus, dass wir unser geistiges Eigentum energisch verteidigen“, sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line von Infineon.
Infineon baut kontinuierlich seine Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das Unternehmen verfügt über das branchenweit breiteste Patent-Portfolio. Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien. Infineon setzt sich für die Förderung von Entwicklungen ein und treibt die Entwicklung von Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten Herausforderungen der Welt – von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation – zu bewältigen.
