Effiziente HF-Lösungen für 6G Rekordwerte bei GaN-Transistoren für 6G-Mobilfunk erzielt 02.07.2025Imec hat mit dem GaN-on-Si E-Mode MOSHEMT einen Transistor entwickelt, der Rekordwerte bei Wirkungsgrad und ...
Galliumnitrid trifft Silizium Neue Hybridchips versprechen Highspeed-Effizienz 25.06.2025Ein Forschungsteam des MIT hat ein neuartiges Verfahren entwickelt, mit dem sich Galliumnitrid-Transistoren (GaN) ...
Ergebnisse des CAM-Workshops Neue Ansätze für Fehler- und Materialdiagnostik bei Elektronik 04.06.2025Das Fraunhofer IMWS hat seinen CAM-Workshop beendet. Auf der Tagung wurden Themen wie Defektlokalisierung und - ...
Hochvolt-Systeme auf GaN-Basis Monolithische GaN-Schalter erreichen neue Effizienzklasse bei 1.200 Volt 30.04.2025Das Fraunhofer IAF hat auf Basis seiner GaN-on-Insulator-Technologie einen monolithischen, bidirektionalen Schalter ...
Power, Leistungselektronik und mehr Trends und Entwicklungen rund um Stromversorgungen 24.04.2025Die Leistungselektronik bildet das Fundament einer jeden Komponente, die mit Strom versorgt werden muss. Um dabei ...
GaN als Gamechanger Auf GaN-Leistungsschalter in Schaltnetzteilen umsteigen 22.04.2025Zunehmend stellt sich für Entwickler von Power-Management-Systemen die Frage, ob sie von Silizium-Leistungsschaltern ...
Effizienz von Satellitenstromversorgungen steigern Industrieweit erster weltraumtauglicher GaN-FET-Gatetreiber 20.02.2025Texas Instruments (TI) hat eine neue Familie von strahlungsfesten und strahlungstoleranten Gate-Treibern für GaN- ...
Effizienter, kompakter, leistungsstärker – GaN setzt neue Maßstäbe. GaN-Power für die Zukunft der Leistungselektronik 05.02.2025Angesichts der globalen Herausforderungen des Klimawandels und der ökologischen Nachhaltigkeit engagiert sich die ...
Rechtsstreit um Halbleiterpatente spitzt sich zu Patentstreit: Innoscience verklagt Infineon wegen GaN-Technologie 04.02.2025Der Halbleiterspezialist Innoscience hat beim Mittleren Volksgericht in Suzhou Klage gegen Infineon und zwei ...
Sperrschichttemperatur um 25 Prozent senken Neue 100-150V-GaN-Leistungstransistoren mit Top-Side-Kühlung 27.12.2024Innoscience Technology, gegründet mit dem Ziel, ein leistungsfähiges und kostengünstiges Ökosystem für Galliumnitrid ...
Mobilfunknetze resilienter betreiben GaN-Transistoren für Satellitenkommunikation 11.09.2024Mit zunehmend steigenden Datenraten im Mobilfunk wächst auch der Bedarf an leistungsfähigerer ...
Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik Neues Halbleitermaterial soll Leistungsfähigkeit steigern 14.08.2024Forschende des Fraunhofer IAF haben mithilfe von Aluminiumyttriumnitrid ein neues, vielversprechendes ...
Neuer GaN-Leistungsverstärker Kompakte Power für Satellitenkommunikation 21.06.2024CML Micro bringt mit dem CMX90A705 einen hochleistungsfähigen zweistufigen GaN-Leistungsverstärker auf den Markt. ...
Energieeffizient und Ressourcenschonend Die nächste Generation von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern 03.02.2023Im EU-geförderten Projekt „UltimateGaN“ forschten 26 Partner aus neun europäischen Ländern gemeinsam an der nächsten ...
Herstellung auf die nächste Stufe heben Fertigung von Galliumnitrid: Günstiger und mit gesicherten Lieferketten 04.11.2022Galliumnitrid wird von vielen immer noch als eine neue Halbleitertechnologie angesehen. Obwohl GaN inzwischen in ...
Hardware auf GaN-Basis E-Band-Sendemodul für den 6G-Mobilfunk 22.09.2022Der 6G-Mobilfunk soll ab 2030 Anwendungen der Künstlichen Intelligenz, Virtuellen Realität und des Internets der ...
Nächste Stufe der Sensorik Chipfreie, drahtlose elektronische „Haut“ hergestellt 23.08.2022Ein neues Gerät des MIT erfasst und überträgt drahtlos Signale, die mit dem Puls, dem Schweiß und der UV-Belastung ...
Diskrete Bauelemente GaN-Leistungselektronik für vielerlei Anwendungen 07.12.2021MMICs und diskrete Bauelemente von Microchip bieten die für 5G-, Satellitenkommunikations- und ...
Power Packages Einfacher Umstieg auf Wide-Bandgap-Technologie 24.08.2021Um die Umstellung auf die Wide-Bandgap-Technologie zu vereinfachen, hat STMicroelectronics für Anwendungen mit einer ...
Modulare GaN-Leistungs-ICs Integrierte Spannungswandler statt diskreter Bauteile 08.07.2020Je kompakter Spannungswandler sind, desto energieeffizienter arbeiten sie. Mit den diskreten Standardkomponenten, ...
Spannungsversorgungen mit GaN-Transistoren Netzgeräte mit Überraschungseffekt 01.04.2020In kleinen effizienten Netzgeräten und Gleichspannungswandlern kommen schnell schaltende Transistoren auf ...
Mehr Leistung für industrielle Hochfrequenzanwendungen GaN-Transistoren erreichen Rekordeffizienz 25.03.2020Forschern ist es gelungen, die Betriebsspannung ihrer GaN-basierten Hochfrequenztransistoren für den Frequenzbereich ...
Automotive-Stresstests bestanden Mit GaN-FETs störungsärmer schalten 23.08.2019Die dritte Generation der Transphorm-GaN-FETs löst die bisherigen Bausteine ab und soll bei geringeren Kosten noch ...
SiC und GaN richtig einsetzen Moderne Stromversorgungen designen 11.04.2019SiC und GaN etablieren sich immer stärker am Leistungselektronikmarkt. Für Entwickler von Stromversorgungen ist die ...
Tests an unerforschtem Halbleiter aufgenommen Leistungsfähiger als Silicium und Galliumnitrid 22.01.2019Der Elektronikmarkt wächst und fordert immer kompaktere und effizientere leistungselektronische Systeme. Die bislang ...
Produktankündigung EMI-Reduzierung bei erhöhtem Wirkungsgrad 16.10.2017Mouser Electronics führt jetzt die Leistungsstufe LMG5200 in Gallium-Nitrid-Technik (GaN) von Texas Instruments (TI ...
Übertragung mit 5G Die Zukunft des Mobilfunks 02.08.2016Eine blitzschnelle Datenübertragung, wie der neue 5G-Mobilfunkstandard sie verspricht, braucht den richtigen ...
Mobilfunknetz 5G Leistungsverstärker 06.05.2016Die nächste Generation des Mobilfunknetzes (5G) steht in den Startlöchern. Damit die Kommunikation in diesem Netz ...
GAN-HEMTs Mehr Leistung dank anderer Technik 12.04.2016MOSFETs sind nach Hochfrequenz- mittlerweile auch Leistungsbauteile geworden. Dasselbe gilt auch für HEMTs (High ...
