Die GaN-FETs TP65H035WSQA haben die AEC-Q101-Stresstests des Automotive Electronics Council bestanden.

Bild: Hy-Line

Automotive-Stresstests bestanden Mit GaN-FETs störungsärmer schalten

23.08.2019

Die dritte Generation der Transphorm-GaN-FETs löst die bisherigen Bausteine ab und soll bei geringeren Kosten noch stabileres und störungsärmeres Schalten ermöglichen. Erstmals sind nun auch Automotive-Qualifikationstests erfolgreich durchgeführt worden.

Die dritte Generation der Industrie-JEDEC-qualifizierten Hochspannungs-Galliumnitrid-Plattform von Transphorm hat die AEC-Q101-Stresstests des Automotive Electronics Council für diskrete Halbleiter in Automobilqualität bestanden. Das stellt auch außerhalb von Automobilanwendungen einen Vorteil dar: Die GaN-FETs bieten damit 25 °C mehr als Standard-qualifizierte Hochspannungs-Silizium-MOSFETs und damit Stromversorgungsentwicklern mehr thermische Reserven. Die Halbleiter zeigen eine Field Failure FIT Rate von 3, die mit der von Siliziumkarbidbausteinen gleichzieht.

Eigenschaften und Anwendungen

Der neue GaN-FET der dritten Generation bietet einen typischen On-Widerstand von 35 mΩ in einem TO-247-Gehäuse. Wie sein Vorgänger, der TPH3205WSBQA mit 50 mΩ, ist er damit geeignet für AC/DC-Ladegeräte und Netzgeräte, DC/DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichtersysteme, Plug-in-Hybrid- und Batterie-Elektrofahrzeuge, Industrieanlagen und USVs oder Anlagen der regenerativen Energiegewinnung.

Die im Juni 2018 eingeführten Bausteine der dritten Generation bieten geringe elektromagnetische Störungen bei gleichzeitig erhöhter Störsicherheit – Schwellenspannung bei 4 V, Plateau bei 8 V – und Robustheit des Gates bis zu ±20 V. Im Ergebnis soll bei minimaler externer Beschaltung höhere Leistung bei höheren Strömen möglich sein.

Muster und Evaluation-Boards sind bei Hy-Line Power Components verfügbar.

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