Littelfuse, ein industrielles Technologieunternehmen, das sich für eine nachhaltige, vernetzte und sichere Welt einsetzt, hat den Ultra-Junction-Power MOSFET MMIX1T500N20X4 der Klasse X4 auf den Markt gebracht. Dieser 200-V-N-Kanal-MOSFET mit 480 A zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von nur 1,99 mΩ aus. Das ermöglicht eine hohe Leitungseffizienz, ein vereinfachtes Wärmemanagement und eine verbesserte Systemzuverlässigkeit in leistungsstarken Designs.
Der MMIX1T500N20X4 nutzt ein leistungsstarkes, keramikbasiertes, isoliertes SMPD-X-Gehäuse mit Kühlung an der Oberseite für ein optimales Wärmemanagement. Im Vergleich zu bestehenden MOSFET-Lösungen der X4-Klasse bietet das Gerät bis zu doppelt so hohe Nennströme und einen um bis zu 63 Prozent niedrigeren RDS(on). Somit können Ingenieure mehrere parallel geschaltete Niedrigstromgeräte in einer einzigen Hochstromlösung konsolidieren.
Merkmale und Vorteile
200 V Sperrspannung, sehr niedriger RDS(on) von 1,99 mΩ für minimierte Leitungsverluste.
Hohe Strombelastbarkeit (ID = 480 A) reduziert die Anzahl der benötigten Geräte.
Kompaktes isoliertes SMPD-X-Gehäuse mit 2.500 V Isolation und verbessertem Wärmewiderstand (Rth(j-c) = 0,14 °C/W).
Geringe Gate-Ladung (Qg = 535 nC) reduziert den Leistungsbedarf des Gate-Treibers.
Vereinfachtes Wärmemanagement durch oberseitig gekühltes Gehäuse.
Zusammen sorgen diese Merkmale für eine höhere Leistungsdichte, eine geringere Anzahl von Komponenten und eine einfachere Montage. Dies führt zu effizienteren, zuverlässigeren und kostengünstigeren Systemdesigns.
Anwendungen
Der MMIX1T500N20X4 eignet sich für:
DC-Lastschalter
Batterie-Energiespeichersysteme
Industrielle und Prozessstromversorgungen
Industrielle Ladeinfrastruktur
Drohnen und Plattformen für Senkrechtstart und -landung (VTOL)
„Die neuen Komponenten ermöglichen es Entwicklern, mehrere parallel geschaltete Niedrigstrom-Bauteile in einem einzigen Hochstrom-Gerät zu konsolidieren, wodurch sich das Design vereinfacht und die Anzahl der Komponenten reduziert“, sagt Antonio Quijano, Product Marketing Analyst bei Littelfuse. „Dies verbessert die Zuverlässigkeit des Systems, vereinfacht die Implementierung des Gate-Treibers und erhöht sowohl die Leistungsdichte als auch die Effizienz der Leiterplattenfläche.“
Häufig gestellte Fragen (FAQs)
Wie verbessert der MOSFET MMIX1T500N20X4 die Systemeffizienz im Vergleich zu bestehenden Lösungen?
Der MMIX1T500N20X4 bietet einen sehr niedrigen RDS(on) von 1,99 mΩ bei einer Nennstromstärke von 480 A, wodurch Leitungsverluste und Wärmeerzeugung reduziert werden. Der Ersatz mehrerer parallel geschalteter MOSFETs durch ein einziges Bauteil vereinfacht das Design, reduziert die Anzahl der Komponenten und steigert die Gesamteffizienz des Systems.
Welche Anwendungen profitieren am meisten von diesem MOSFET?
Dieser MOSFET eignet sich für Hochstrom-Systeme mit niedriger bis mittlerer Spannung, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Typische Anwendungsbereiche sind Gleichstrom-Lastschalter, Batterie-Energiespeicher, industrielle Stromversorgungen, Ladeinfrastruktur sowie Leistungselektronik für Drohnen oder VTOL-Plattformen.
Welche thermischen und verpackungstechnischen Vorteile bietet das SMPD-X-Design?
Das SMPD-X-Gehäuse auf Keramikbasis bietet eine hervorragende Wärmebeständigkeit (Rth(j-c) = 0,14 °C/W) und eine Isolierung von 2500 VRMS. Dies ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen sichereren Betrieb. Das von oben gekühlte Design vereinfacht das Wärmemanagement, reduziert die Systemgröße und erhöht die langfristige Zuverlässigkeit.
Verfügbarkeit
Der MMIX1T500N20X4 ist in Röhren zu 20 Stück oder im Band- und Rollenformat in Mengen von 160 Stück erhältlich. Muster sind über autorisierte Littelfuse-Vertriebspartner weltweit verfügbar.
