Omron Electronic Components Europe stellt neue G3VM-MOSFET-Relais mit geringer Grundfläche, niedriger Ausgangskapazität und schneller Reaktionszeit vor; für Entwickler, die anspruchsvolle Anwendungen wie Test- und Messgeräte der nächsten Generation realisieren.
Die neuen Relais im 2 x 1,45 mm kleinen S-VSON(L)-Gehäuse wiegen weniger als 0,01 g und ermöglichen es Geräteentwicklern, eine hochdichte Montage unter beengten Platzverhältnissen und Formfaktor-Einschränkungen zu realisieren. Mit einer Pin-zu-Pin-Kapazität von nur 0,6 pF und einer Einschalt-/Ausschaltzeit von nur 0,08/0,12 Millisekunden eignen sie sich für Hochgeschwindigkeitsschnittstellen in automatischen Testgeräten (ATE) und Hochgeschwindigkeits-Logiktestern. Darüber hinaus trägt ein Leckstrom von nur 1 nA zu einer hohen Messgenauigkeit bei.
Kompakte Relais für steigende Anforderungen in Test- und Messsystemen
Entwicklungslabore und Produktionsanlagen, die mit Technologien wie Halbleitern, 5G und autonomen Robotern arbeiten, benötigen Testgeräte mit mehr Kanälen, mehr Messungen, schnelleren Inspektionszyklen und einem höheren Frequenzbereich. Mit der Einführung der Modelle 20V G3VM-21QR und G3VM-21QR1 sowie 40V G3VM-41QR4 unterstützt Omron Hersteller von Testgeräten dabei, diese Anforderungen zu erfüllen.
Diese normalerweise offenen Relais (SPST-NO, Schließer) des Typs 1a weisen in der G3VM-Serie die geringste Kapazität und den geringsten Widerstand auf und ermöglichen so ein äußerst reaktionsschnelles Schalten, was raschere Messungen und kürzere Testzykluszeiten ermöglicht. Dank ihrer ultrakleinen 4-Pin-Bauform, die mehr als 18 Prozent kleiner ist als das VSON-Gehäuse, ermöglicht es Designern, die Kanalanzahl in neuen Geräten zu skalieren und mechanische Relais einfacher durch MOSFET-Relais ersetzen.
Die neuen MOSFET-Relais G3VM-21QR, G3VM-21QR1 und G3VM-41QR4 befinden sich derzeit in Produktion.
