Symbolische Waferübergabe zur feierlichen Eröffnung des „Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony“ in Dresden

Bild: Christian Schneider-Broecker

Neues Center der Halbleiter-Forschung in Dresden eröffnet „Jeder dritte europäische Chip wird in Sachsen produziert“

09.06.2022

Ein Leuchtturm der Halbleiterforschung mit internationaler Reichweite entsteht in Dresden. Mit Etablierung des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony bündeln das Fraunhofer IPMS und das Fraunhofer IZM-ASSID ihre Kompetenzen. Sie bieten künftig die komplette Wertschöpfungskette in der 300-mm- Mikroelektronik und damit die Voraussetzung für Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien.

Mit dem Fraunhofer IZM-ASSID und Fraunhofer IPMS, Bereich Center Nanoelectronic Technologies CNT, sind zwei bundesweit einzigartige Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik in Sachsen angesiedelt. Es sind heute die beiden einzigen deutschen Forschungszentren für angewandte Mikroelektronikforschung, die auf Basis von 300-mm-Wafer-Industriestandard-Equipment forschen.

Mit der Bündelung der Kompetenzen und Gründung des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony entstehen hervorragende Perspektiven, Halbleiter-Unternehmen und Systemanwender sowie Material- und Anlagenhersteller weltweit anzuziehen und an Silicon Saxony zu binden. Für Industrie- und Forschungsaufträge sind neben hervorragendem Personal und Know-how eine Ausstattung mit einem modernen Geräte- und Anlagenpark entscheidend.

Mit einem Investitionsvolumen von etwa 140 Millionen Euro in Reinraum-Anlagen ist das Fraunhofer IPMS in Deutschland einmalig im Bereich der angewandten Forschung auf dem modernen 300-mm- Wafer-Industriestandard im Frontend der CMOS-Herstellung positioniert. Das Fraunhofer IZM-ASSID ergänzt diese Expertise mit Packaging- und Systemintegrations-Technologien. Geleitet wird das Center künftig von Dr. Wenke Weinreich, Bereichsleiterin am CNT und stellvertretende Institutsleiterin des Fraunhofer IPMS, sowie Dr. Manuela Junghähnel, Standortleiterin am IZM-ASSID.

Investitionen für Zukunftstechnologien

„Das gemeinsame Center mit einem Reinraum von 4.000-m2-Größe ermöglicht eine enge Kooperation und Verzahnung der wissenschaftlich-technischen Kompetenzen beider Forschungseinrichtungen. Dadurch entsteht eine herausragende R&D-Technologieplattform sowie eine Effizienzsteigerung und Vervollständigung der Wertschöpfungskette, welche zugleich neue Forschungsfelder eröffnet“, erklärt Junghähnel.

Weinreich fügt hinzu: „Der 300-mm Wafer-Industriestandard ist entscheidend, denn nur so kann einerseits ein schneller Transfer von Forschungsergebnissen in die Halbleiter-Industrie Sachsens, bundesweit und auch weltweit gewährleistet werden. Andererseits ist dieser Waferstandard auch Grundvoraussetzung für die Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien, wie Neuromorphic und Quantencomputing.“

Feierliche Eröffnung

Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer sagt: „Sachsen ist einer der führenden Mikroelektronik-Standorte in Europa. Jeder Dritte europäische Chip wird im Freistaat produziert. Mit dem European Chips Act hat die EU die Weichen für weitere Investitionen gestellt. Sachsen setzt auf eine enge Vernetzung von Wirtschaft, Wissenschaft und Forschung. Das neue Fraunhofer-Center für Halbleiter-Forschung ist einmalig in Deutschland und wird einen entscheidenden Beitrag für Innovationen im Silicon Saxony leisten. In Dresden findet zukünftig angewandte Mikroelektronik-Forschung mit hochmodernen 300-mm-Wafern auf Weltniveau statt. Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien sichert Innovationskraft und Wohlstand im Freistaat. Ich danke der Fraunhofer-Gesellschaft für ihr klares Bekenntnis zum Standort Sachsen.“

Auch der Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, Prof. Dr. Reimund Neugebauer, zeigt sich begeistert: „Das neue Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony ist ein exzellentes Beispiel für eine proaktive Gestaltung der europäischen Entwicklung von Halbleitertechnologien und leistet einen wichtigen Beitrag zur Sicherung unserer technologischen Souveränität. Durch die Zusammenführung der exzellenten wissenschaftlich-technischen Kompetenzen bildet das Zentrum zukünftig die gesamte Wertschöpfungskette der Halbleiter-Technologien effizient ab - von der Forschung über die Pilotfertigung auf 300 Millimeter großen Siliziumscheiben bis hin zur Kontaktierung und zur Endmontage.“

Für die zukünftige Weiterentwicklung der notwendigen Kompetenzen in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik werden die R&D-Angebote des Fraunhofer IZM-ASSID und Fraunhofer IPMS hinsichtlich der 300-mm-Prozesskompetenzen so gestaltet und ausgebaut, dass die lokale und nationale Industrie von KMUs bis zu Großunternehmen (zum Beispiel Globalfoundries, Infineon, Bosch) von den modernsten Technologien bestmöglich profitieren kann. Die Integrationsplattform wird darüber hinaus auch in kundenspezifischen Projekten im Rahmen des Leistungszentrums „Funktionsintegration für die Mikro-/Nanoelektronik“ und in der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) genutzt.

Mit einem positiven Blick auf diese Vernetzung schließt Wissenschaftsminister Sebastian Gemkow: „Für die Zukunft der Mikroelektronikforschung und -technolologieentwicklung in Dresden, Sachsen, Deutschland und Europa ist die Eröffnung des CNT ein Meilenstein. In gemeinsamer Kraftanstrengung von Fraunhofer-Gesellschaft, Bund und Freistaat Sachsen ist es gelungen, eine der führenden Forschungseinrichtungen im Bereich der 300-mm-Technologie nachhaltig zu sichern. IPMS-CNT und IZM-ASSID setzen im Rahmen des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration auf strategische und vertiefte Zusammenarbeit. So wird ‚Silicon Saxony‘ weiter gestärkt und wird künftig wichtige Beiträge zur Bearbeitung der Zukunftsthemen in der Mikroelektronik leisten.“

Bildergalerie

  • 4.000-m2-Reinraum des Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony

    Bild: Fraunhofer IPMS

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