Ladesäulen mit über 100 kW Kapazität haben normalerweise einen modularen Ansatz mit gestapelten Untereinheiten.

Bild: Infineon

Halbleiter mit hohem Wirkungsgrad (Promotion) Infineon Technologies Schnelle DC-EV-Ladelösungen

11.08.2022

Leistungsumwandlung, Mikrocontroller, Sicherheit, Betriebsstromversorgung und Kommunikation.

Inklusive 600 V CoolMOS SJ P7- und CFD7-MOSFETs, 650 V Trenchstop 5 IGBTs und 1.200 V CoolSiC MOSFETs. CoolMOS/CoolSiC MOSFETs bieten Vorteile wie Hochfrequenzbetrieb, hohe Leistungsdichte und geringere Schaltverluste. Ein passender EiceDRIVER Gate-Treiber wird ebenso angeboten wie XMC- und AURIX-Mikrocontroller für E-Mobilitätslösungen. OPTIGA Produkte komplettieren das Portfolio und gewährleisten den Schutz und die Sicherheit von Daten. Ladegeräte im Leistungsbereich über 50 kW werden in der Regel mit IGBTs, CoolSiC MOSFETs und Diodenleistungsmodulen gebaut, zum Beispiel CoolSiC Easy Modules, IGBT EconoPACK und EconoDUAL Produkten. Ladesäulen mit über 100 kW Kapazität haben normalerweise einen modularen Ansatz mit gestapelten Untereinheiten.

Weitere Informationen erhalten Sie auf der Website von Mouser.

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