Bei Anwendungen in der Leistungselektronik führt das Erreichen der elektrischen Isolierung zwischen einem diskreten Halbleitergehäuse und dem Kühlkörper häufig zu einem Anstieg des Wärmewiderstands zwischen Übergang und Kühlkörper,
Rth(j-h). Diese Einschränkung kann sich auf die Strombelastbarkeit des gehäusten Bauteils auswirken. Littelfuse hat diese Herausforderung erkannt und das isolierte, diskrete ISO247-Gehäuse eingeführt.
Das ISO247-Gehäuse löst nicht nur das Problem des Wärmewiderstands, sondern erhöht auch die Leistungs- und Stromdichte und bietet gleichzeitig eine inhärente Isolierung. Bemerkenswerterweise werden diese Verbesserungen unter Beibehaltung der Kompatibilität mit dem Standard TO-247-Gehäuse erreicht. In diesem Whitepaper wird eine vergleichende Analyse zwischen den ISO247- und TO-247-Bauteilen durchgeführt, die beide denselben 1.200-V-SiC-MOSFET enthalten. Der Vergleich konzentriert sich auf den Wärmewiderstand, die Sperrschichttemperatur und die Leistungsaufnahmefähigkeit und zielt darauf ab, die Überlegenheit des ISO247-Gehäuses für SiC-Leistungsbauelemente zu demonstrieren.
Thermische Messungen zeigen, dass das ISO247-Gehäuse die Chip-Sperrschichttemperatur und den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlkörper auf ein Minimum reduziert. Neben der Verbesserung der Bauteilleistung bietet diese Vorteile das Potenzial für eine höhere Anwendungsleistung und Kosteneinsparungen auf Systemebene.
