Zur Verstärkung der Bauelemente-Leistung (Promotion) CoolSiC MOSFETs 650 V

Mouser Electronics

Die CoolSiC MOSFETs 650 V von Infineon sind bei Mouser verfügbar.

Bild: Infineon
21.10.2022

Kombinieren die physikalische Stärke von Siliziumkarbid mit Funktionen, die die Bauelemente-Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit verstärken.

Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren bietet der CoolSiC MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC ist die perfekte Lösung für den Einsatz bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen.

Merkmale

  • Robuste, schnelle Kommutierungs-Bodydiode mit niedriger Sperrverzögerungsladung (Qrr)

  • Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen

  • Niedrige Kapazitäten

  • Führende Trench-Technologie mit überlegener Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

  • XT-Verbindungstechnologie für erstklassige thermische Leistung

  • Erhöhte Avalanche-Fähigkeit

  • Funktioniert mit Standard-Treibern

  • Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen

  • Hohe Leistungsfähigkeit, hohe Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit

  • Ermöglicht hohe Systemeffizienz und Leistungsdichte

  • Reduziert die Systemkosten und Komplexität

  • Ermöglicht billigere, einfachere und kleinere Systeme

  • Funktioniert in Topologien mit kontinuierlicher harter Kommutierung

  • Geeignet für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen

  • Ermöglicht bidirektionale Topologien

Weitere Informationen erhalten Sie auf der Website von Mouser.

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