SCHURTER

Der FMBB-EP-Filter im rundum geschlossenen Stahlgehäuse eignet sich unter anderem für Einsätze in der Medizin oder Industrie.

Bild: Schurter

Einphasen-Filter Störfrequenzen von Leistungshalbleitern im Zaum halten

06.08.2020

Hochgetaktete Halbleiter erzeugen zusehends stärkere Störfrequenzen. Dadurch steigen auch die Anforderungen zur Einhaltung der EMV. Eine neue Filterfamilie ist deshalb auf Einsätze ausgelegt, wo Apparaturen mit hartnäckig hohen EMI-Störsignalen konfrontiert sind.

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Immer leistungsfähiger bei gleichzeitig immer kompakterer Bauform: So lauten die Anforderungen an moderne Elektronikgeräte. Für solche hat Schurter nun sein Angebot an ultrakompakten Einphasen-Filtern erweitert. FMBB EP heißt das neueste Mitglied im komplett geschlossenen Stahlgehäuse, das aufgrund seiner zweistufigen Filterauslegung besonders leistungsfähig ist.

Aufbau und Anwendung

Die neuen Filter verwenden das gleiche Gehäuse wie die FMBB-Neo-Filterreihe. Dieses ist punktverschweißt und somit komplett geschlossen, was das Dämpfungsverhalten deutlich verbessern soll. Dazu tragen auch großzügig dimensionierte Folienkondensatoren sowie Drosseln mit hochpermeablen Kernen bei. Typische Anwendungsgebiete für die Filter sind Test- und Messgeräte, professionelle Küchengeräte und kritische Anwendungen aus der Medizin und Industrie.

Montage, Temperaturbereich und Ableitstrom

Die FMBB-EP-Filterserie verfügt über Steckanschlüsse von 6,3 mm x 0,8 mm oder Gewindeanschlüsse zur einfachen und schnellen Verdrahtung. Mittels eines metallenen Flanschs wird bei der Schraubmontage auf das Chassis eine stabile Erdverbindung sichergestellt.

Die Standardvarianten der Filter sind für einen Temperaturbereich von -40 bis 100 °C und Stromstärken von 1 bis 36 A bei einer Umgebungstemperatur von 40 °C ausgelegt. Sie haben die ENEC- und cURus-Zulassung und werden für Anwendungen bis maximal 250 VAC empfohlen.

Beim Ableitstrom gibt es unterschiedliche Ausführungen: die Standardversion mit 0,9 bis 3,8 mA sowie für die Medizintechnik ≤ 5 µA oder ≤ 80 µA.

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