Die neuen Dual N-Channel Power MOSFETs sind in verschiedenen Ausführungen bei Schukat erhältlich.

Bild: Schukat

MOSFETs Schnelle Schaltfrequenzen bei geringen Verlusten

09.01.2020

Schukat hat sein Angebot um die neuen MOSFETs von Taiwan Semiconductor erweitert. Sie eignen sich für den Einsatz in BLDC-Motorsteuerungen, DC/DC-Wandlern, im Power-Management von Batterien sowie zur sekundären Synchrongleichrichtung.

Verfügbar sind die Dual N-Channel Power MOSFETs in den Typen TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR und TSM300NB06DCR mit 40 und 60 V für Ströme von 25 bis 38 A. Um Leistungsverluste zu reduzieren, weisen sie einen niedrigen Einschaltwiderstand zwischen 15 und 30 mΩ auf. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 150 °C.

Laut dem Hersteller ermöglichen die MOSFETs aufgrund der niedrigen Gate-Ladung schnelle Schaltfrequenzen, entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind halogenfrei. Untergebracht sind sie in einem PDFN56-Dual-Gehäuse.

Die TSC-MOSFETs sind ab Lager bei Schukat erhältlich.

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