Gleichrichter-Dioden Schnelle Dioden mit der Rapid- und Tandem-Familie

Bild: Schukat
18.07.2016

Der Distributor Schukat hat sein Angebot um die 650-V-Rapid-1- und 650-V-Rapid-2-Hyperfast-Dioden von Infineon sowie die 600-V-Tandem-Dioden von STMicroelectronics erweitert. Infineons Dioden der Serien IDP, IDV und IDW sollen mit CoolMOS-MOSFETs oder IGBTs wie Trenchstop 5 zusammenwirken.

Die Rapid-1-Familie ist für Schaltfrequenzen zwischen 18 und 40 kHz konfiguriert (Vf), während bei Rapid 2 40 bis 100 kHz möglich sind (Qrr). Beide Infineon-Diodenserien verfügen über eine 650-V-Spannungsfestigkeit. So soll eine höhere Verlässlichkeit und ein stabiles Temperaturverhalten der wichtigen elektrischen Parameter gewährleistet werden. Für verbesserte Eon-Verluste des Boost-Schalters sorgt die niedrige Rückstromspitze (Irrm), zudem bedingt ein Softness-Faktor von >1 das EMI-Verhalten der Dioden.

Die 600-V-Ausführung STTH_T gehört zur zweiten Generation Tandem-Dioden von STMicroelectronics. Durch minimale Qrr weisen die drei Modelle niedrige Schaltverluste auf, wodurch sie sich für den Einsatz in allen hart schaltenden Anwendungen eignen sollen. Die Tandem-Dioden von STM sind in 8A- und 12A-Ausführungen erhältlich und lassen sich für Schaltfrequenzen bis 100 kHz einsetzen. Alle Modelle sind in den Gehäusebauformen TO220AC, TO220AC-ISO und TO247 verfügbar.

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