Von Wide-Bandgap bis 800‑V‑DC

Neue Power-Technologien für EV, Netz und KI

Neue Halbleiterlösungen sollen auf der PCIM 2026 zeigen, wie sich Effizienz und Leistungsdichte steigern lassen.

Bild: Texas Instruments
01.06.2026

Auf der PCIM 2026 in Nürnberg zeigt Texas Instruments, wie neue Power-Halbleiter die Effizienz und Leistungsdichte steigern und höhere Spannungen ermöglichen. Zu sehen sind unter anderem smarte Batteriezustandsüberwachung, 48-V-EV-Architekturen, GaN/SiC fürs Netz sowie 800-V-DC für KI-Rechenzentren.

Texas Instruments (TI) wird auf der vom 9. bis 11. Juni in Nürnberg stattfindenden PCIM 2026 zeigen, wie Halbleiter-Innovationen heutigen Entwicklern dabei helfen, die Effizienz zu maximieren, mehr Leistung auf weniger Platz unterzubringen und höhere Spannungen zu unterstützen. An seinem Stand in Halle 7 (Stand 652) wird das Unternehmen demonstrieren, was Innovation bei TI heißt und was auf dem Power-Sektor als nächstes bevorsteht.

Die Demonstrationen werden deutlich machen, wie die neuesten Entwicklungen von TI im Bereich der Power-Technologie die Entwickler bei folgenden Aufgaben unterstützen:

  • Entwicklung sichererer, intelligenterer und effizienterer Elektrofahrzeuge: Wegbereitend bringt TI neue Fortschritte in der Batteriezustands-Überwachung, um die Batterielebensdauer zu verlängern, die die Sicherheit zu verbessern und kritische Ausfälle zu verhindern. Die Technologien reichen vom vorausschauenden Batteriemanagement über einstufige Leistungswandler bis zu 48-V-Architekturen. Die neuen Lösungen tragen dazu bei, die EV-Entwicklung zu beschleunigen und schneller mit neuen Fahrzeuggenerationen auf den Markt zu kommen.

  • Optimierung der Netze durch intelligentere Elektrifizierung: Die Wide-Bandgap-Technologien (GaN und SiC) von TI sorgen für die hohe Effizienz und Leistungsdichte, die Entwickler für bidirektionale Inverter, intelligente Energiespeicher und das Laden von EVs mit Leistungen im Megawattbereich benötigen. Gepaart mit Edge-KI für die Echtzeitsteuerung mit wenig Aufwand, helfen die Lösungen von TI den Entwicklern bei der Netzoptimierung.

  • Realisierung von KI-Rechenzentren der nächsten Generation: TI transformiert den Energiefluss vom Netz bis zum Gate mit innovativen Produkten und Designs, die 800-V-DC-Architekturen unterstützen und gleichzeitig sowohl die Leistungsdichte als auch den Umwandlungs-Wirkungsgrad maximieren. Diese Technologien schaffen damit die Voraussetzungen zur Deckung des massiven Rechenleistungs-Bedarfs künftiger KI-Workloads und gewährleisten den skalierbaren und verlässlichen Betrieb von KI-Rechenzentren.

TI-Referenten auf der PCIM 2026

Dienstag, 9. Juni

  • 12:45 Uhr (MESZ): Tim Hegarty präsentiert „An Integrated Active EMI Filter to Attenuate Both DM and CM Noise in Single-Phase AC Systems“ in Halle 4A.

  • 15:30 Uhr (MESZ): Ricardo Ruffo präsentiert „Performance Assessment of a Split-Phase String Inverter Based on Integrated Gate Driver GaN FET“ in Halle 4A.

Mittwoch, 10. Juni

  • 09:50 Uhr (MESZ): Daniel Norwood präsentiert „Silicon Carbide Reliability During 960V DC Link Capacitor Active Discharge“ Raum St. Petersburg Stage, Ebene 2.

  • 15:30 Uhr (MESZ): Esteban Garcia präsentiert „Integrated High Voltage Resistors for Voltage Monitoring in Isolated and Non-Isolated Systems“ in Halle 4A.

  • 15:30 Uhr (MESZ): Nicholas Oborny präsentiert „Enabling Compact and Efficient Motor Drives for Robotics through GaN Half-bridge Power Stage“ in Halle 4A.

  • 15:30 Uhr (MESZ): Anthony Lodi präsentiert „Reliability and Robustness for 3 Phase GaN IPMs in Motor Driver Applications“ in Halle 4A.

Donnerstag, 11. Juni

  • 11:15 Uhr (MESZ): Nicholas Oborny präsentiert „Miniaturization in Low Voltage Motor Drives Through Integration and Flip Chip Power Packaging“ in Halle 4A.

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