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Bild: Pixabay

Samsung startet Massenproduktion Industrieweit erste 10-Nanometer-Class-DRAMs der zweiten Generation

09.01.2018

Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten 10-nanometer Class (1y-nm) DDR4 DRAMs der zweiten Generation mit Kapazitäten von 8gigabit (Gb) begonnen.

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Die neuen 8Gb DDR4 DRAMs sind für Computersysteme der nächsten Generation konzipiert und weisen von allen 8Gb DRAM-Chips die höchste Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz sowie die kleinsten Dimensionen auf. „Mit der Entwicklung von innovativen Technologien und Prozessen für DRAM-Schaltkreise haben wir ein großes Hindernis im Hinblick auf die DRAM-Skalierbarkeit überwunden“, sagt Gyoyoung Jin, President of Memory Business bei Samsung Electronics. „Durch ein schnelles Ramp-up von 10nm-Class DRAM der zweiten Generation werden wir unsere gesamte 10nm-Class DRAM-Produktion erhöhen, um der starken Nachfrage des Marktes gerecht zu werden und unsere Wettbewerbsfähigkeit zu stärken.“

30 Prozent höherer Produktionsgewinn

Samsungs 10nm-Class 8Gb DDR4 der zweiten Generation erreicht gegenüber dem 10nm-Class 8Gb DDR4 der ersten Generation einen etwa 30 Prozent höheren Produktionsgewinn. Darüber hinaus wurden das Leistungsniveau sowie die Energieeffizienz des neuen 8Gb DDR4 DRAM um etwa 10 beziehungsweise 15 Prozent gesteigert, was auf den Einsatz einer innovativen, proprietären Schaltkreistechnologie zurückzuführen ist. Das neue 8Gb DDR4 DRAM kann mit 3.600 Mbit/s pro Pin arbeiten; Samsungs 8Gb DDR4 DRAM der ersten Generation erreicht 3.200 Mbit/s. Um diese Erfolge zu erzielen, hat Samsung neue Technologien eingesetzt und auf einen EUV-Prozess verzichtet. Die Innovation hier beinhaltet den Einsatz eines hochempfindlichen Cell-Data-Sensing-Systems und eines progressiven „Air-Spacer“-Konzepts.

In den Zellen von Samsungs 10nm-Class DRAM der zweiten Generation ermöglicht ein neu entwickeltes Data-Sensing-System die genauere Bestimmung der in jeder Zelle gespeicherten Daten, was die Schaltkreisintegration und die Fertigungsproduktivität erheblich steigert. Das neue 10nm-Class DRAM nutzt ferner einen einzigartigen „Air Spacer“, der um die Bit-Leitungen platziert ist, um parasitäre Kapazitäten wesentlich zu reduzieren. Der Einsatz des „Air Spacer“ ermöglicht nicht nur ein höheres Maß an Skalierbarkeit, sondern auch schnelle Zellenoperationen.

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