Durch seine T-Schaltungsstruktur bietet das G3VM-21MT einen Ableitstrom von höchstens 1 pA.

Bild: Omron / Video: Omron

Relais für Prüfgeräte Vorteile von mechanischen und MOSFET-Relais kombiniert

26.02.2020

Als Komponente für Halbleitertestgeräte und andere Prüfmittel hat Omron ein MOSFET-Relaismodul mit minimiertem Leckstrom entwickelt. Durch seine T-Schaltungsstruktur vereint es die Vorteile zweier Relaisarten und soll mit einem Ableitstrom von höchstens 1 pA präzise Ergebnisse in jeder Testausrüstung liefern.

Einst wurden in Halbleitertest- und anderen Prüfgeräten mechanische Relais teils wegen ihres geringen Leckstroms bevorzugt. Doch mechanische Relais haben aufgrund von Kontaktverschleiß, der die Messgenauigkeit im Laufe der Zeit herabsetzt, eine deutlich geringere Lebensdauer. Intensiv genutzt wird häufiges Auswechseln notwendig, was die Wartungskosten erhöht.

Mit einer T-Type-Schaltungsstruktur, durch die ein Großteil des Leckstroms gegen Masse zur Erde abfließt, soll Omrons G3VM-21MT die Vorteile mechanischer und MOSFET-Relais effektiv verbinden – hin zu einer genauen und kompakten Schaltlösung ohne mechanische Kontakte. Durch den Einbau des Schaltkreises in das Modul bleibt zudem die Baugröße kompakt, mit Maßen von 5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm.

Das SMD-Bauelement wird als einpoliger Einschalter (SPST) angeboten; eine Konfiguration ist nicht erforderlich. Weitere Merkmale des Relais sind eine maximale Lastspannung von 20 V und eine Isolationsleistung unter -30 dB bei 1 GHz.

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