Das Landgericht München I hat in zwei weiteren Patentverletzungsverfahren – genauer gesagt aus einem Patent und aus einem Gebrauchsmuster – zwischen Infineon Technologies und Innoscience im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie zugunsten von Infineon entschieden.
Gericht untersagt Herstellung, Verkauf und Vermarktung
In den Verfahren geht es um die unerlaubte Nutzung der von Infineon patentierten GaN-Technologien durch das chinesische Unternehmen Innoscience. Mit Entscheidungen verbietet das Gericht Innoscience, weitere patentverletzende Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen und zu vermarkten. Darüber hinaus verpflichtet das Gericht Innoscience zur Zahlung von Schadenersatz an Infineon.
Es handelt sich bereits um die dritte und vierte juristische Niederlage von Innoscience in einer Serie von Gerichtsverfahren, in denen jeweils entschieden wurde, dass Produkte von Innoscience Infineon-Patente verletzen. Gerichte und Behörden in den USA und in Deutschland haben wiederholt festgestellt, dass Produkte von Innoscience geistige Eigentumsrechte von Infineon verletzen. Bereits am 1. August 2025 hatte das Gericht in einem ersten deutschen Verfahren gegen Innoscience entschieden. Darüber hinaus hatte am 7. Mai 2026 die Full Commission der US International Trade Commission (ITC) festgestellt, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der GaN-Technologie verletzt hat. Zusätzliche Verfahren wegen der Verletzung von weiteren Infineon Patenten sind in den USA und Deutschland anhängig.
GaN bleibt Schlüsseltechnologie für effiziente Stromversorgungssysteme
GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und Elektrofahrzeuge.
„Das heutige Urteil zeigt den Wert unseres GaN-Portfolios und verdeutlicht, dass wir unser geistiges Eigentum energisch verteidigen und uns für einen fairen Wettbewerb einsetzen", sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line von Infineon.
Infineon baut kontinuierlich seine Position als Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das Unternehmen verfügt über das branchenweit breiteste Patent-Portfolio. Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien. Infineon setzt sich für die Förderung von Innovationen ein und treibt die Entwicklung von Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten Herausforderungen der Welt – von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation – zu bewältigen.
