SiC- und GaN-IGBTs im Vergleich Das Kräftemessen in der Leistungselektronik hat begonnen 15.06.2018Die Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid versprechen die Leistungselektronik zu ...
Ein Transistor aus Graphen-Nanobändern Durchbruch in der Nanoelektronik 07.12.2017Transistoren auf Basis von Kohlenstoff-Nanostrukturen – was nach Zukunftsmusik klingt, könnte in wenigen Jahren ...
Leistungswandler Infineon: Erstes Full-SiC-Modul in Serienproduktion 16.05.2017Größere Leistungsdichte, geringere Baugrößen und reduzierte Systemkosten: Das sind die wesentlichen Vorteile von ...
Die e-Pflanze kommt! Cyborg-Rose als Grundlage für Pflanzenelektronik? 23.03.2017Zum ersten Mal wurde ein Stromkreis in eine Pflanze integriert. Die Cyborg-Rose kann hunderte von Malen aufgeladen ...
DC/DC-Wandler Spannung zerhacken mit 400 Watt 20.01.2017Speziell für den Einsatz in der Fahrzeugtechnik hat MTM Power primär getaktete DC/DC-Wandler entwickelt.
Transaktion der Produktpalette Littelfuse übernimmt Teile von ON Semiconductor 13.09.2016Die Produktpalette an Suppressdioden (TVS), Schalt-Thyristoren und Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode ...
