Galliumoxid verspricht mehr Effizienz Halbleitermaterial könnte E-Autos in 10 Minuten laden 22.07.2026 NextGO Epi hat 2 Millionen Euro Pre-Seed-Kapital eingesammelt, um Galliumoxid-Epitaxiewafer für die nächste ...
US-Einfuhrverbot gegen Innoscience wegen GaN-Patentverletzung Infineon siegt erneut über Innoscience 13.07.2026 Die US International Trade Commission hat endgültig entschieden: Innoscience verletzt ein GaN-Patent von Infineon. ...
Gemeinsam gegen Lieferkettenrisiken Deutschland und Kanada stärken gemeinsam das Halbleiter-Ökosystem 30.06.2026 In Montreal haben Deutschland und Kanada eine Absichtserklärung zur Halbleiter-Ökosystem-Partnerschaft unterzeichnet ...
Gericht untersagt weitere patentverletzende GaN-Produkte in Deutschland Infineon gewinnt Patentstreit gegen Innoscience 19.06.2026 In zwei weiteren Patentverletzungsverfahren im Bereich der GaN-Technologie hat das Landgericht München I zugunsten ...
SiC, GaN und KI-Power Halbleiterlösungen für die digitale Zukunft 28.05.2026 Im Mittelpunkt der PCIM Europe 2026 stehen Leistungshalbleiter für KI-Rechenzentren, Elektromobilität und Robotik. ...
Diodenlaser und Radarsysteme für den Weltraum Schlüsseltechnologien für moderne Raumfahrtmissionen 26.05.2026 Das Ferdinand-Braun-Institut präsentiert auf der ILA Berlin 2026 weltraumtaugliche Diodenlaser, hochintegrierte MIMO ...
Leistungselektronik für E‑Mobilität GaN statt Silizium: Kompaktes Laden im E-Fahrzeug 29.04.2026 Mit steigender Ladeleistung wachsen die Anforderungen an Effizienz, Kühlung und Bauraum in der Elektromobilität. Im ...
Kooperation von Infineon und Nvidia Digitale Zwillinge beschleunigen den Einsatz sicherer Roboter 18.03.2026 In Zusammenarbeit mit Nvidia will Infineon die nächste Generation humanoider Roboter vorantreiben. Im Mittelpunkt ...
Interview über Lenze als Partner für Smart Warehouses „Wir diskutieren Konzepte, keine Katalognummern“ 26.02.2026 Die Intralogistik ist vom Kostenfaktor zur strategischen Schlüsseldisziplin geworden. Im A&D-Interview erklärt Tim- ...
GaN-on-GaN wird industriereif Vertikales GaN: Ein neuer Maßstab für Energieeffizienz und Leistungsdichte 03.11.2025 Onsemi hat eine neue Generation vertikaler GaN-Leistungshalbleiter vorgestellt. Die GaN-on-GaN-Technologie ermö ...
