Kosteneffizienter Überspannungsschutz Hochleistungs-TVS-Dioden für Überspannungsschutz Vor 1 Tag Littelfuse führt neue Hochleistungs-TVS-Dioden der Serien TPSMC, TPSMD und TP5.0SMDJ ein. Diese erweitern das ...
Halbleiter statt Kupfer und Eisen SSTs sollen Stromumwandlung beschleunigen 24.03.2026 Infineon Technologies und DG Matrix kombinieren SiC-Leistungshalbleiter mit einer Multi-Port-Solid-State-Transformer ...
Technologie-Workshop (Promotion) Leistungshalbleiter (IGBT & SiC) und ihre optimale Anbindung 17.03.2026 Das Seminar vermittelt fundiertes Wissen sowie praxisorientierte Entscheidungsgrundlagen für die Auswahl und den ...
Automotive-Leistungshalbleiter (Promotion) PerFET-Serie für sichere E-Mobilität 05.03.2026 Die PerFET-Automotive-Serie von Taiwan Semiconductor bietet hochzuverlässige MOSFETs und Dioden für ...
Interview über Lenze als Partner für Smart Warehouses „Wir diskutieren Konzepte, keine Katalognummern“ 26.02.2026 Die Intralogistik ist vom Kostenfaktor zur strategischen Schlüsseldisziplin geworden. Im A&D-Interview erklärt Tim- ...
Mehr Effizienz für die Energieinfrastruktur der Zukunft Leistungshalbleiter ermöglicht kompaktere und leichtere Systeme 18.02.2026 Toshiba stellt einen neuen 6,5-kV-Presspack-IEGT vor. Der ST2000JXH35A ermöglicht aufgrund seiner höheren ...
Neues ISO247-Gehäuse für SiC-Bauelemente ISO247 senkt Wärmewiderstand bei SiC-MOSFETs erheblich 19.01.2026 Mit dem ISO247 stellt Littelfuse ein neues Gehäuse für Leistungshalbleiter vor, das den Wärmewiderstand reduziert ...
ISOPLUS – SMPD Mehr Leistung, weniger Hitze: SMPD für Leistungshalbleiter 18.01.2026 Mit dem Surface Mount Power Device (SMPD) schließt Littelfuse die Lücke zwischen diskreten Leistungshalbleitern und ...
Wählen Sie den E&E-Cover-Winner 2025 Welche E&E-Titelseite hat Sie 2025 am meisten begeistert? 27.11.2025 Ihre Meinung zählt: Stimmen Sie ab und wählen Sie Ihre E&E-Lieblings-Titelseite des Jahres! Mit ein wenig Glück ...
GaN-on-GaN wird industriereif Vertikales GaN: Ein neuer Maßstab für Energieeffizienz und Leistungsdichte 03.11.2025 Onsemi hat eine neue Generation vertikaler GaN-Leistungshalbleiter vorgestellt. Die GaN-on-GaN-Technologie ermö ...
