Effizienter, kompakter, leistungsstärker – GaN setzt neue Maßstäbe. GaN-Power für die Zukunft der Leistungselektronik 05.02.2025 Angesichts der globalen Herausforderungen des Klimawandels und der ökologischen Nachhaltigkeit engagiert sich die ...
Wachstumschancen erweitern Littelfuse erwirbt Waferfabrik in Dortmund 09.01.2025 Littelfuse, ein diversifizierter Hersteller von Industrietechnologien für eine nachhaltige, vernetzte und sichere ...
Studie über Halbleiterindustrie Mikroelektronikförderung: Ein Gewinn für Wirtschaft, Klima und Arbeitsplätze 09.12.2024 Die Investitionen in die Mikroelektronik bringen Europa Wirtschaftswachstum, steigende Steuereinnahmen und ...
Welche E&E-Titelseite hat Sie 2024 am meisten begeistert? Wählen Sie den E&E-Cover-Winner 2024! 19.11.2024 Ihre Meinung zählt: Stimmen Sie ab und wählen Sie Ihre E&E-Lieblings-Titelseite des Jahres! Mit ein wenig Glück ...
Steigerung der Isolationsleistung und Fertigungseffizienz Leistungsstarke SMD-Lösungen für die Elektromobilität 14.11.2024 Rohm hat oberflächenmontierbare SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) entwickelt, die den Isolationswiderstand durch ...
Die Zukunft der Elektromobilität Siliziumkarbid-Technologie der nächsten Generation 07.11.2024 Die neue vierte Generation einer Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie setzt neue Maßstäbe in Energieeffizienz, ...
Mehr Energieeffizienz Infineon stellt dünnsten Silizium-Power-Wafer der Welt vor 30.10.2024 Nach der Ankündigung der weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für ...
Von der Kundenforderung bis zum fertigen Produkt Kühlkörper, Gehäuse und Steckverbinder Made in Germany 16.10.2024 Die zunehmende Miniaturisierung und Leistungsdichte moderner Elektronik stellt Entwickler vor immer komplexere ...
Verlustleistung in Gerätestecker-Kombielementen Die ideale Verbindung gesucht 08.10.2024 Kombiniert man verschiedene elektrische Komponenten in einem Geräteeinbaustecker zu einem Kombielement, so sind die ...
Zukunft der Elektromobilität Siliziumkarbid-Technologie der nächsten Generation 01.10.2024 STMicroelectronics stellt die Generation 4 seiner Siliziumkarbid-Mosfet-Technologie „STPower“ vor, die neue ...
