Galliumnitrid trifft Silizium Neue Hybridchips versprechen Highspeed-Effizienz 25.06.2025 Ein Forschungsteam des MIT hat ein neuartiges Verfahren entwickelt, mit dem sich Galliumnitrid-Transistoren (GaN) ...
Präzise messen und zuverlässig entwickeln Skalierbare Messtechnik für komplexe Leistungs- und Embedded-Systeme 24.06.2025 Die rasante Transformation in Branchen wie der Automobilindustrie, der erneuerbaren Energie und der industriellen ...
Ergebnisse des CAM-Workshops Neue Ansätze für Fehler- und Materialdiagnostik bei Elektronik 04.06.2025 Das Fraunhofer IMWS hat seinen CAM-Workshop beendet. Auf der Tagung wurden Themen wie Defektlokalisierung und - ...
Hochvolt-Systeme auf GaN-Basis Monolithische GaN-Schalter erreichen neue Effizienzklasse bei 1.200 Volt 30.04.2025 Das Fraunhofer IAF hat auf Basis seiner GaN-on-Insulator-Technologie einen monolithischen, bidirektionalen Schalter ...
Power, Leistungselektronik und mehr Trends und Entwicklungen rund um Stromversorgungen 24.04.2025 Die Leistungselektronik bildet das Fundament einer jeden Komponente, die mit Strom versorgt werden muss. Um dabei ...
GaN als Gamechanger Auf GaN-Leistungsschalter in Schaltnetzteilen umsteigen 22.04.2025 Zunehmend stellt sich für Entwickler von Power-Management-Systemen die Frage, ob sie von Silizium-Leistungsschaltern ...
Trends in der Leistungselektronik SiC, GaN und mehr: Komponenten für energieeffiziente Hochleistungssysteme 10.04.2025 Arrow Electronics präsentiert auf der PCIM Halbleiter- und Leistungsbauelemente für Hochleistungsanwendungen. Im ...
Energieeffiziente Lösung zum Heizen und Kühlen Nachhaltigkeit im Fokus: Wärmepumpen Know-how 24.03.2025 Wärmepumpen werden als nachhaltige und energieeffiziente Lösung zum Heizen und Kühlen von Gebäuden immer beliebter. ...
So entwickelt sich die Industrieautomatisierung Automatisierung: Von der „Optimierungs-“ zur „Autonomen“ Gesellschaft? 03.03.2025 Für die Welt der industriellen Automatisierung öffnet sich ein neues Kapitel: Laut Omrons SINIC-Theorie, die ...
Effizienz von Satellitenstromversorgungen steigern Industrieweit erster weltraumtauglicher GaN-FET-Gatetreiber 20.02.2025 Texas Instruments (TI) hat eine neue Familie von strahlungsfesten und strahlungstoleranten Gate-Treibern für GaN- ...
