Perspektiven für die Chipproduktion der Zukunft Mikrochips im Nanometermaßstab 25.09.2025 Forschern der Johns Hopkins University ist es gelungen, ein neues Verfahren zu entwickeln, mit dem sich Mikrochips ...
Aktivantennen werden kompakter und energieeffizienter Rekordwerte bei 70-nm-GaN-Technologie für Hochfrequenz-Satellitensysteme 10.09.2025 Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler am Fraunhofer IAF haben eine neuartige GaN-Transistortechnologie mit einer ...
Dr. Christian Vedder, Fraunhofer-Institut für Lasertechnik ILT Trends, Strategien und Laserverfahren in der Mikroelektronik 05.09.2025 Megatrends wie Digitalisierung, Elektromobilität und Künstliche Intelligenz bewegen auch die Mikroelektronikbranche ...
Hohe Wirkungsgrade – fehlende Langlebigkeit? Darum fallen manche Solarmodule schneller aus als gedacht 26.08.2025 Solarmodule sollen jahrzehntelang saubere Energie liefern – aber eine unsichtbare Schwachstelle kann schon früh für ...
Urknall im Labor Defektfreie Siliziumschichten durch kontrollierte Schockkühlung 30.07.2025 Bereits kleinste Fehlstellen im Kristallgitter eines Silizium-Wafers können die Effizienz elektronischer Bauelemente ...
Optoelektronik auf dem Vormarsch Neuer Halbleiter für die nächste Technologiegeneration 16.07.2025 Forschende des Forschungszentrums Jülich und des Leibniz-Instituts IHP haben eine bislang einzigartige, stabile ...
Effiziente HF-Lösungen für 6G Rekordwerte bei GaN-Transistoren für 6G-Mobilfunk erzielt 02.07.2025 Imec hat mit dem GaN-on-Si E-Mode MOSHEMT einen Transistor entwickelt, der Rekordwerte bei Wirkungsgrad und ...
Galliumnitrid trifft Silizium Neue Hybridchips versprechen Highspeed-Effizienz 25.06.2025 Ein Forschungsteam des MIT hat ein neuartiges Verfahren entwickelt, mit dem sich Galliumnitrid-Transistoren (GaN) ...
Auf die Verpackung kommt es an Fünf Workflows für die heterogene Integration von 2,5D/3D Chiplets 18.06.2025 Mit dem Moore'schen Gesetz Schritt zu halten, stellt auch weiterhin eine Herausforderung dar. Gleichzeitig ist es ...
Hochvolt-Systeme auf GaN-Basis Monolithische GaN-Schalter erreichen neue Effizienzklasse bei 1.200 Volt 30.04.2025 Das Fraunhofer IAF hat auf Basis seiner GaN-on-Insulator-Technologie einen monolithischen, bidirektionalen Schalter ...
