Fraunhofer ISE übetrifft eigenen Rekord vom Vorjahr 31,3 Prozent Wirkungsgrad für Silizum-Mehrfachsolarzelle 27.03.2017 Das Fraunhofer ISE erreichte vor wenigen Monaten für eine Dreifachsolarzelle aus III-V-Halbleitern und Silizium ...
Anorganisches Material SnIP Halbleiter mit DNA-Form eröffnet neue Anwendungen 12.09.2016 Eine Grundstruktur des Lebens auf der Erde ist die Doppelhelix der DNA. Nun hat ein Team der Technischen Universität ...
Mobilfunknetz 5G Leistungsverstärker 06.05.2016 Die nächste Generation des Mobilfunknetzes (5G) steht in den Startlöchern. Damit die Kommunikation in diesem Netz ...
GAN-HEMTs Mehr Leistung dank anderer Technik 12.04.2016 MOSFETs sind nach Hochfrequenz- mittlerweile auch Leistungsbauteile geworden. Dasselbe gilt auch für HEMTs (High ...
Graphen-Nanobänder Wenn Elektronen unterschiedlich „spinnen“ 31.03.2016 Forschern der Empa, des Max-Planck-Instituts in Mainz und der TU Dresden ist es erstmals gelungen, aus Molekülen ...
Gängige Halbleitermaterialien als Lösung Rettung vor dem quantenmechanischen Vergessen 07.12.2015 Physiker der Technischen Universität München, des Los Alamos National Laboratory und der Universität Stanford (USA) ...
Bauelemente Im Rampenlicht 02.12.2015 Immer kleiner und sogar druckbar - in letzter Zeit tut sich viel in der Elektronikfertigung. Einen weiteren ...
Si oder SiC Silizium-Karbid als Alternative 22.10.2015 Leistungshalbleitern kommt eine wichtige Rolle bei der effizienteren Nutzung elektrischer Energie zu. Silizium- ...
GaN-Leistungstransistoren Schnell und effizient schalten 27.04.2015 Im EU-Verbundprojekt HiPoSwitch ist es gelungen, sehr effiziente und blitzschnelle Galliumnitrid-Leistungsschalter ...
CIGS-Solarmodule Weltrekord in PV-Massenproduktion 27.04.2015 16 % Wirkungsgrad erreichen CIGS-Module jetzt – angesichts von 21,7 % im Labor bleibt noch immenses Potenzial für ...
