GAN-HEMTs Mehr Leistung dank anderer Technik 12.04.2016 MOSFETs sind nach Hochfrequenz- mittlerweile auch Leistungsbauteile geworden. Dasselbe gilt auch für HEMTs (High ...
Graphen-Nanobänder Wenn Elektronen unterschiedlich „spinnen“ 31.03.2016 Forschern der Empa, des Max-Planck-Instituts in Mainz und der TU Dresden ist es erstmals gelungen, aus Molekülen ...
Gängige Halbleitermaterialien als Lösung Rettung vor dem quantenmechanischen Vergessen 07.12.2015 Physiker der Technischen Universität München, des Los Alamos National Laboratory und der Universität Stanford (USA) ...
Bauelemente Im Rampenlicht 02.12.2015 Immer kleiner und sogar druckbar - in letzter Zeit tut sich viel in der Elektronikfertigung. Einen weiteren ...
Si oder SiC Silizium-Karbid als Alternative 22.10.2015 Leistungshalbleitern kommt eine wichtige Rolle bei der effizienteren Nutzung elektrischer Energie zu. Silizium- ...
GaN-Leistungstransistoren Schnell und effizient schalten 27.04.2015 Im EU-Verbundprojekt HiPoSwitch ist es gelungen, sehr effiziente und blitzschnelle Galliumnitrid-Leistungsschalter ...
CIGS-Solarmodule Weltrekord in PV-Massenproduktion 27.04.2015 16 % Wirkungsgrad erreichen CIGS-Module jetzt – angesichts von 21,7 % im Labor bleibt noch immenses Potenzial für ...
Hinter den Kulissen (Promotion) Mit Power über das gesamte Spektrum 10.04.2014 Fred Eschrich, Vertriebsleiter Leistungshalbleiter, gibt einen Überblick über Fuji Electric Europe, das ...
Displays & HMI-Komponenten Das große Flimmern 23.01.2014 Bis dato haben Displays nur die Aufgabe, Inhalte anzuzeigen. In Zukunft sollen sie das auf jedem Gerät, in jeder ...
