Infineon hat die Dioden speziell für die hohen Anforderungen der Automobilindustrie an Zuverlässigkeit, Qualität und Leistung konzipiert.
„Die SiC-Technologie ist jetzt reif für den Masseneinsatz im Automobil“, sagt Stephan Zizala, Vice President and General Manager für Automotive High Power bei Infineon. „Die Einführung der Automotive CoolSiC Schottky-Dioden-Familie markiert einen Meilenstein in der Entwicklung des SiC-Produktportfolios von Infineon für On-Board Charger, DC/DC-Wandler und Umrichtersysteme“.
Die neue Produktfamilie basiert auf der fünften Generation der Schottky-Dioden von Infineon. Der Chip-Hersteller hat diese weiter optimiert, damit sie die hohen Anforderungen der Automobilindustrie an Robustheit und Zuverlässigkeit erfüllen. Durch das neuee Passivierungsschicht-Konzepts bietet diese Familie einen hohen Feuchtigkeits- und Korrosionsschutz. Darüber hinaus weist sie durch die 110µm Dünnwafer-Technologie einen der besten FOM-Werte (Figure of Merit, Qc x Vf) ihrer Klasse auf. Ein niedrigerer FOM-Wert bedeutet geringere Leistungsverluste.
Im Vergleich zur herkömmlichen Silicon Rapid Diode kann die CoolSiC Automotive Schottky Diode die Effizienz eines OBC unter allen Ladebedingungen um einen Prozentpunkt steigern. Ausgehend vom deutschen Strom-Mix führt dies über die typische Lebensdauer eines Elektroautos zu einem Sparpotenzial von 200 Kilogramm an CO 2-Emissionen. Das erste Derivat ist ab September 2018 für die 650V-Klasse verfügbar. Die neuen Produkte mit 3-poligem Standard-TO247-Gehäuse lassen sich problemlos in ein OBC-System integrieren und optimal in Kombination mit den TRENCHSTOP IGBT- und CoolMOS-Produkten von Infineon einsetzen.