SiC-MOSFETs jetzt auch im beliebten D2PAK-7 1200-V-Bauelemente bieten ab sofort beste Leistung im SMD-Gehäuse

Die 1.200 V Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Nexperia werden im D2PAK-7-SMD-Gehäuse mit RDSon-Werten von 30, 40, 60 und 80 mΩ angeboten.

Bild: Nexperia
23.05.2024

Nexperia bietet seine 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs im D2PAK-7-SMD-Gehäuse mit einer Auswahl von RDSon-Werten von 30, 40, 60 und 80 mΩ an. Diese Ankündigung folgt auf die Einführung von zwei diskreten SiC-MOSFETs im 3- und 4-Pin-TO-247-Gehäuse Ende 2023 durch Nexperia und ist das jüngste Angebot einer Reihe, mit der die SiC-MOSFET-Palette rasant um immer mehr Bauelemente mit RDSon-Werten von 17, 30, 40, 60 und 80 mΩ in verschiedenen Gehäuseoptionen erweitert wird.

Mit der Markteinführung des NSF0xx120D7A0 reagiert Nexperia auf die wachsende Marktnachfrage nach SiC MOSFETs in SMD-Gehäusen wie D2PAK-7. Diese werden in verschiedenen industriellen Anwendungen, wie unter anderem dem Laden von Elektrofahrzeugen (Ladesäulen, Offboard-Laden), unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Wechselrichtern für Photovoltaik- und Energiespeichersysteme (ESS), immer beliebter.

Erweiterung durch erfolgreiche Zusammenarbeit

Die Erweiterung des SiC-MOSFET-Portfolios ist ein weiteres Zeugnis für die erfolgreiche strategische Partnerschaft zwischen Nexperia und der Mitsubishi Electric Corporation (MELCO). In deren Rahmen bündeln die beiden Unternehmen ihre Kräfte, um die Effizienz und Leistung von SiC-Halbleitern mit breiter Bandlücke weiter zu verbessern und gleichzeitig die Produktionskapazitäten für diese Technologie im Hinblick auf die ständig wachsende Marktnachfrage zukunftssicher zu machen.

RDSon ist ein effizienzbestimmender Parameter in leistungselektronischen Applikationen. Seine Auswirkungen auf die Leitverluste macht ihn auch zu einem kritischen Leistungsparameter für SiC-MOSFETs. Viele Hersteller konzentrieren sich jedoch rein auf den Nennwert bei 25 °C und vernachlässigen dabei den Umstand, dass dieser bei steigenden Betriebstemperaturen um mehr als 100 Prozent ansteigen kann, was zu erheblichen Leitverlusten führt.

Dieser einschränkende Faktor gilt für viele, derzeit auf dem Markt befindlicher SiC-Bauelemente. Dank den Möglichkeiten von Nexperias neuer Prozesstechnologie, bieten die SiC-MOSFETs eine branchenführende Temperaturstabilität: der Nennwert von RDSon steigt über einen Betriebstemperaturbereich von 25 bis 175 °C nur um 38 Prozent an.

Die extrem enge Schwellenspannung (VGS(th)-Spezifikation) ermöglicht diesen diskreten MOSFETs, bei Parallelschaltung eine ausgeglichene Stromführungsleistung zu bieten. Darüber hinaus ist die niedrige Durchlassspannung (VSD) der Body-Diode ein Parameter, der die Robustheit und Effizienz der Bauelemente erhöht und gleichzeitig die Anforderungen an die Totzeit im Freilaufbetrieb verringert.

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