Super-Junction-MOSFETs für kompakte Stromversorgungen Klein und Leistungsstark 13.03.2024 In den letzten Jahren erwartete die Industrie zunehmend, dass Stromversorgungen von Beleuchtungen sowie elektrische ...
Neu entwickeltes Schaltungskonzept Herstellung von Schnellladegeräten wird günstiger 21.11.2023 Schnelles Laden oder das Laden von großen Speichern erfordern hohe Leistungen und werden für die E-Mobilität immer ...
Rohms neuer Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber-IC Maximierung der Leistung von GaN-Bauelementen 10.11.2023 Branchenweit führende Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und ...
SiC im Aufwind Bedarfsgerechte Versorgung mit SiC-Bauteilen sicherstellen 09.10.2023 Halbleiterbauelemente, die auf Wide-Bandgap-/WBG-Technologie wie SiC basieren, sind entscheidend für effizientere ...
Blick hinter die Kulissen Die Technologie hinter IGBTs 01.06.2023 In diesem Beitrag geben wir einen Überblick über den Aufbau und die Funktionsweise von IGBTs und betrachten ...
Bipolartransistoren verfügbar (Promotion) IGBTs des Modells BID 04.11.2022 Kombinieren die Technologie eines MOSFET-Gates und eines Bipolartransistors und sind für Hochspannungs-/ ...
Halbleiter mit hohem Wirkungsgrad (Promotion) Infineon Technologies Schnelle DC-EV-Ladelösungen 11.08.2022 Leistungsumwandlung, Mikrocontroller, Sicherheit, Betriebsstromversorgung und Kommunikation.
Halbleiterelektronik DC/DC-Wandler für GaN-Gate-Treiber 20.12.2021 Die passende Schaltung für einen Galium-Nitrid-Halbleiter zu finden ist nicht immer einfach. Im folgenden erläutert ...
Große Leistungen verarbeiten Hybrid-IGBTs senken Stromverbrauch in Automobilanwendungen 20.07.2021 Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen große Leistung gefragt ist, können von nun an noch einfacher ...
Messsysteme für die E-Mobilität Intelligentes Messequipment optimiert Elektromobilität 11.06.2021 Kaum ein Thema wird kontroverser diskutiert als die Elektromobilität. Die Technologie ermöglicht es, dass Fahrzeuge ...