Fraunhofer Institut für Integrierte Schaltungen IIS Bereich Angewandte Elektronik Erlangen, Deutschland 16
Neuartiges hochflexibles Framework Neurowissenschaftliche Simulatoren der nächsten Generation 13.06.2023 Trotz jahrzehntelanger Forschung bleibt das Gehirn und die Frage, wie es Informationen verarbeitet, weitgehend ein ...
Entwicklung von spezieller Mikroelektronik Abhörsichere Datenübertragung in der Quantenwelt 06.06.2023 Das Fraunhofer IIS/EAS in Dresden baut das Applikationszentrum „Design skalierbarer Elektroniksysteme für die ...
Von Anfang bis Ende durchgetestet Der Grundstein für die zukünftige 5G-Ära 01.06.2023 Hersteller von HF-ICs und -Modulen sind gezwungen, bei der Entwicklung neuer Hardware und deren Markteinführung ...
Blick hinter die Kulissen Die Technologie hinter IGBTs 01.06.2023 In diesem Beitrag geben wir einen Überblick über den Aufbau und die Funktionsweise von IGBTs und betrachten ...
Individuelle PCB-Fertigung (Promotion) PCB Prototyping – der schnellste Weg zur Leiterplatte 17.05.2023 Prototyping spielt in der europäischen Leiterplatten-Industrie zunehmend eine zentrale Rolle – Qualität, ...
Durchbruch bei Dichte und Leistung Die nächste Generation von integrierten Spannungsreglern 17.05.2023 Herkömmliche Stromversorgungslösungen erfordern Dutzende von diskreten Komponenten und damit große Grundflächen und ...
Anbindung für die Cloud Turbo für die dezentrale Energieerzeugung 16.05.2023 Wenn es um die Beschleunigung der Energiewende geht, dreht sich die öffentliche Debatte meist um planungsrechtliche ...
Elektronische Schaltung im Sensor sorgt für verbesserte Technik Präzise Mikroskopier-Ergebnisse einfach und kostengünstig erhalten 15.05.2023 Mit winzigen Spitzen wird in einem Rasterkraftmikroskop eine Oberfläche abgetastet. Eine neue Erfindung der TU Wien ...
Miniaturisierung von Elektronikkomponenten Die Vorzüge der 3D-MID-Technologie 02.05.2023 Der Ursprung komplexer elektronischer Schaltungen waren zweidimensionale Leiterplatten und deren Bestückung mit THT- ...
Alternative zu Silizium Neuartiger Transistor aus Germanium-Zinn-Legierung gefertigt 02.05.2023 Am Forschungszentrums Jülich ist ein Transistor aus einer Germanium-Zinn-Legierung hergestellt worden, der gegenüber ...