Einphasen-Solarwechselrichter Fehlerstrom leichter erkennen 30.10.2018 Dank neuer Technologien werden Solarwechselrichter kleiner und leichter. Weltweiter Wettbewerb erhöht den ...
Speicherinduktivitäten in Reglern Elektromagnetische Strahlung in Schaltreglern 15.10.2018 DC/DC-Schaltregler werden häufig im Energiemanagement eingesetzt, die Speicherinduktivität ist dabei eine der ...
Batterien besser nutzen Mehr drinnen: Lithium-Ionen-Batterien 12.10.2018 Die Batterie ist Schlüsselelement für mobile Anwendungen, bislang wird aber nicht die maximale Energie aus ihr ...
Vorteile der neuen Leistungsschaltertechnik Moderne SiC/GaN-Leistungswandler 11.10.2018 Der Markt für Leistungswandler entwickelt sich rapide, er bewegt sich von einfachen Leistungs-/Kosten-Entwicklungen ...
Treiberschaltung und Stromversorgung von IGBTs und MOSFETs Wie die Spannung sicher zum Gate kommt 04.10.2018 IGBTs und MOSFETs sind leicht anzusteuern, weil sie spannungsgesteuerte Bauelemente sind. Doch es gibt einige ...
SPICE-Modellierung für SiC-Leistungs-MOSFETs Willkommene Weiterentwicklung 04.10.2018 Durch die Einführung von SiC-MOSFETs mit großer Bandlücke stehen der Elektronikbranche völlig neue Möglichkeiten bei ...
GaN verbessert Class-D-Topologie Effizienter ohne Kabel 04.10.2018 Das kabellose Laden portabler Geräte macht konventionelle Ladenetzteile, -kabel und -stecker überflüssig. Bisher war ...
Superjunction-MOSFETs Leistungsschalter für PFC- und Flyback-Topologien 03.09.2018 Leistungsfähige Low-Power-Schaltnetzteile benötigen immer mehr Hochvolt-MOSFETs. Infineon Technologies führt für ...
Subsystem-Designansatz für SiC-Dreiphasen-Wechselrichter Erhabeneres Design von innen heraus 15.06.2018 Siliziumkarbidhalbleiter haben bereits verschiedene Anwendungsmärkte erschlossen und gewinnen dank hoher ...
SiC- und GaN-IGBTs im Vergleich Das Kräftemessen in der Leistungselektronik hat begonnen 15.06.2018 Die Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid versprechen die Leistungselektronik zu ...