MOSFET-Relaismodule Langlebige Schaltlösung ohne mechanische Kontakte

Omron hat neue Hochspannungs- und Hochstromversionen seiner MOSFET-Relaismodule mit T-Konfiguration auf den Markt gebracht.

27.09.2021

Der Leiterplattenrelais-Hersteller Omron Electronic Components hat neue Hochspannungs- und Hochstromversionen seiner MOSFET-Relaismodule mit T-Konfiguration vorgestellt. Omrons T-Module kombinieren die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit von Halbleiterrelais mit niedrigem Leckstrom, was den Einsatz in Anwendungen ermöglicht, bei denen bisher mechanische Relais bevorzugt wurden.

Das neue Omron-G3VM-61MT hat einen Laststrom von 800 mA und bietet eine Lastspannung von 100 V. Sie schließen sich dem hochisolierten G3VM-21MT an. Der niedrige Ableitstrom dieser Geräte wird durch eine einzigartige T-Schaltungsstruktur erreicht, die den größten Teil des Leckstroms zur Masse leitet.

Die T-Module von Omron vereinen die Vorteile von mechanischen und MOSFET-Relais und bieten eine präzise, kompakte und langlebige Schaltlösung ohne mechanische Kontakte.

Anwendungsbereiche der T-Module

Als Schlüsselanwendung unterstützen diese Module genaue Messungen in allen Arten von Prüfgeräten, bei denen mechanische Relais aufgrund ihres geringen Leckstroms bisher bevorzugt wurden. Die Lebensdauer mechanischer Relais ist jedoch wesentlich geringer, da die Kontakte verschleißen und die Messgenauigkeit mit der Zeit abnimmt. Bei intensiver Nutzung kann ein häufiger Austausch erforderlich sein, was die Wartungskosten in die Höhe treibt.

Die kompakten Abmessungen von 5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm werden durch die Integration des T-Schaltkreises in das Modul erreicht. Die Bauelemente sind oberflächenmontierbar und werden in SPST-Ausführung angeboten, ohne dass eine Konfiguration erforderlich ist. Die elektrischen Lastdaten der neuen Komponenten sind 800 mA, 60 V für das G3VM-61MT und 550 mA und 100 V für das G3VM-101MT. Der G3VM-21MT zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Isolationseigenschaft von weniger als -30 dB bei 1 GHz aus und ist für 200 mA bei 20 V ausgelegt.

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