Super-Junction-MOSFETs für kompakte Stromversorgungen Klein und Leistungsstark

Die Stromversorgungen von Beleuchtungen und elektrischen Antrieben für Pumpen sind immer kleiner geworden. Dadurch stieg die Nachfrage nach kompakten MOSFETs, die für den Schaltvorgang unerlässlich sind.

Bild: Rohm; iStock, Miragest
13.03.2024

In den letzten Jahren erwartete die Industrie zunehmend, dass Stromversorgungen von Beleuchtungen sowie elektrische Antriebe für Pumpen immer kleiner werden. Damit erhöhte sich die Nachfrage nach kompakten MOSFETs, die für den Schaltvorgang unerlässlich sind.

Grundsätzlich war es bisher sehr schwierig, die Größe von Super-Junction-MOSFETs zu verringern und gleichzeitig einen guten Kompromiss zwischen hoher Durchbruchspannung und niedrigem Einschaltwiderstand zu finden. Der Spezialist für Leistungshalbleiter Rohm hat eine Antwort auf diese Herausforderung gefunden und 600-V-Modelle im SOT-223-3-Gehäuse (6,50 mm × 7,00 mm × 1,66 mm) mit einem kleineren und flacheren Formfaktor entwickelt, ohne Einbußen bei der elektrischen Leistung, wie sie bei konventionellen Produkten üblich ist. Im Vergleich zum konventionellen TO-252-Gehäuse (6,60 mm × 10,00 mm × 2,30 mm) reduzieren die aktuellen Produkte des Unternehmens die Grundfläche und Höhe um 31 beziehungsweise 27 Prozent, woraus sich kleinere, flache Anwendungen ergeben. Gleichzeitig kann das gleiche Layout (Footprint) wie beim TO-252-Gehäuse verwendet werden, was eine zuverlässige Montage auf bestehende Leiterplatten ohne Änderungen ermöglicht.

Im Detail

Aufgrund ihrer charakteristischen Merkmale sind drei der Modelle für kompakte Stromversorgungen optimal. Der R6004END4, der sich durch sein geringes Rauschen auszeichnet, eignet sich für Anwendungen, wo das Rauschverhalten entscheidend ist. Daneben sind der R6003KND4 und der R6006KND4, die mit hoher Geschwindigkeit schalten können, ideal für Geräte, die einen verlustarmen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad erfordern. Der R6002JND4 und der R6003JND4 nutzen die proprietäre Presto­MOS-Technologie, um Schaltverluste durch eine kürzere Sperrverzögerungszeit (Reverse Recovery-Zeit, trr) deutlich zu verringern, wodurch sie sich gut für elektrisch angetriebene Geräte im Industrieumfeld eignen.

Darüber hinaus entwickeln die Spezialisten des Unternehmens auch bereits Super-Junction-MOSFETs in verschiedenen Gehäusen, die mit noch niedrigeren Einschaltwiderständen arbeiten, um den Stromverbrauch in verschiedenen Geräten zu verringern und damit einen signifikanten Beitrag zu gesellschaftlichen Anforderungen an Umweltschutz und Nachhaltigkeit zu leisten.

PrestoMOS

„Presto" ist ein italienischer Begriff aus der Musik und bedeutet „sehr schnell". PrestoMOS ist der originale Leistungs-MOSFET von Rohm, der die hohe Spannungsfestigkeit und den niedrigen Einschaltwiderstand der Super-Junction-MOSFETs beibehält und gleichzeitig die Sperrverzögerungszeit der integrierten Diode verkürzt. Durch die verringerten Schaltverluste eignet er sich hervorragend für ein breiteres Anwendungsspektrum mit Inverter-Schaltungen, zum Beispiel bei Klimaanlagen und Kühlschränken.

Bildergalerie

  • Die 600 V PrestoMOS Super Junction-MOSFETs sind N-Kanal-Geräte mit einem niedrigen Einschaltwiderstand.

    Die 600 V PrestoMOS Super Junction-MOSFETs sind N-Kanal-Geräte mit einem niedrigen Einschaltwiderstand.

    Bild: Rohm

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