Schwerpunkt bildet das breite Produkt-Portfolio, unter anderem für die Applikationen On-Board Charger sowie SiC-MOSFETs für den Powertrain für den Antrieb von Elektrofahrzeugen, die alle die strengen Anforderungen des Automotiv-Standards AEC Q101 erfüllen.
Was erwartet den Besucher? Gleich zwei neue Generationen an Siliziumkarbid-MOSFETs werden vorgestellt: planare SiC-MOSFETs der zweiten Generation sowie Trench-SiC-MOSFETs der dritten Generation. Hier setzt Sanan auf besonders dünne SiC-Wafer (nur 120 µm), um hohe Stromdichten bei sehr geringen Verlusten zu erreichen.
Vorgestellt werden aber auch neue Schottky-Barrier-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis in vierter und fünfter Generation, konzipiert für allgemeine und anspruchsvolle Anwendungen im Powerbereich.
Einer der wenigen weltweit unabhängigen Anbieter
Seine Innovationskraft schöpft der Hersteller aus seiner Schlüsselposition als eigener unabhängiger SiC-Substrathersteller, der sämtliche Prozessschritte seiner Produkte von der Herstellung des Wafersubtrates über die Chipfertigung bis hin zur Gehäusetechnologie - und somit die gesamte Produktionskette - selbst in der Hand hält. Damit ist Sanan Semiconductor einer der wenigen weltweit unabhängigen Anbieter.
Diese Alleinstellungsmerkmale nutzt das Unternehmen, um auf seinem neuen Messestand in Nürnberg (Halle 9, Stand 248) ein wahres Feuerwerk an Innovationen zu präsentieren.
