Infineon wirft Innoscience vor, das genannte Patent durch die Herstellung, den Gebrauch, das Anbieten, den Verkauf und/oder den Import in die USA von verschiedenen Produkten, darunter GaN-Transistoren für zahlreiche Anwendungen in der Automobilindustrie, in Rechenzentren, in Solar-Anwendungen, bei Antrieben, in der Unterhaltungselektronik sowie bei verwandten Produkten für den Einsatz in Automotive-, Industrie- und kommerziellen Applikationen zu verletzen.
„Die Produktion von Galliumnitrid-Leistungstransistoren erfordert völlig neue Halbleiterdesigns und -prozesse“, sagte Adam White, Division President Power & Sensor Systems bei Infineon. „Mit seiner GaN-Erfahrung aus rund zwei Jahrzehnten kann Infineon die herausragende Qualität garantieren, die für die höchste Leistung der jeweiligen Endprodukte erforderlich ist. Wir schützen unser geistiges Eigentum mit Nachdruck und handeln damit im Interesse aller Kunden und Endverbrauchenden.“ Infineon investiert seit Jahrzehnten in die GaN-F&E, Produktentwicklung und entsprechendes Fertigungs-Know-how. Infineon wird auch weiterhin sein geistiges Eigentum verteidigen und seine Investitionen schützen.
Infineon ist führendes GaN-Powerhouse
Mit Abschluss der Übernahme von GaN Systems am 24. Oktober 2023 wurde Infineon zu einem führenden GaN-Powerhouse und baute seine führende Position bei Leistungshalbleitern weiter aus. Infineon ist mit einem rund 350 Patentfamilien starken GaN-Patentportfolio branchenführend.
Marktanalysten erwarten bis 2028 einen Anstieg des GaN-Umsatzes für Leistungsanwendungen um 49 Prozent CAGR auf circa 2 Milliarden US-Dollar. Galliumnitrid ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter mit überragender Schaltleistung, was zu kleineren, effizienteren und kostengünstigeren Stromversorgungssystemen führt.
