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Fuji Electric’s Halbbrücken-IGBT-Modul mit der neuesten Chip-Generation, der X-Serie oder auch 7G, erhöht die Lebensdauer und die Leistungsdichte des Halbleitermoduls. Neue Aufbau- und Verbindungstechnologien ermöglichen diesen technologischen Fortschritt. Des Weiteren wurde das interne Chip-Layout verbessert, sodass die interne Streuinduktivität reduziert werden konnte.

Bild: Dominik Gierke

Halbbrücken-IGBT-Modul DualXT von Fuji Electric (Promotion) Im Rampenlicht

10.05.2017

Halbleitermodule sollen immer leistungsfähiger sein und gleichzeitig länger halten. Wie das funktioniert, zeigt das DualXT von Fuji Electric. Näheres verrät ein Blick ins Innere.

Neben Kupfer-Bonddrähten der DCB’s werden ebenfalls Kupfer-Bonddrähte für die Verbindung zu den außenstehenden Modul Hauptanschlüssen verwendet. Verbesserte Aluminium-Bonddrähte hingegen werden für die Si-IGBTs und FWDs verwendet.

Das DualXT ist aus zwei voneinander unabhängigen Keramiken aufgebaut. Diese elektrisch isolierende Keramik weist eine hervorragende thermische Leitfähigkeit auf. Zur elektrischen Verbindung beider DCBs werden Kupfer-Bonddrähte verwendet. Unter anderem ist dies ausschlaggebend für eine Verbesserung der Stromtragfähigkeit und Zuverlässigkeit des DualXT.

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  • Bild: Dominik Gierke

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