News Steuer-FET und Synchron-FET in einem

02.07.2012

Advanced Power Electronics (APE) bietet mit dem Baustein AP6922GMT-HF-3 einen platzsparenden Dual-MOSFET für Synchron-Abwärtswandleranwendungen, der den oberen (Steuer-)FET und den unteren (Synchron-)FET in einem 5 mm x 6mm großen PMPAK-Gehäuse vereint. Der Steuer-MOSFET (CH-1) hat laut Hersteller eine Drain-Source-Sperrspannung von 30 V und einen maximalen On-Widerstand von 8,5 m�?�; der maximal zulässige Drain-Dauerstrom beträgt 15 A bei 25 °C. Der Synchron-MOSFET (CH-2) hat ebenfalls eine Drain-Source-Sperrspannung von 30 V, eine Drain-Dauerstrombelastbarkeit von 25,7 A bei 25 °C und einen maximalen On-Widerstand von nur 3,8 m�?�, wodurch die Durchlassverluste minimiert werden, so APE.

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