Infineons neue Superjunction-MOSFETs erfüllen Design-in-Anforderungen in Beleuchtungsanwendungen, Smart-Metern, mobilen Ladungssystemen, Notebook-Adaptern, externen Stromversorgungen und industriellen Schaltnetzteil-Applikationen. Im DPAK-Gehäuse untergebracht haben sie einen geringen Durchlasswiderstand R DS(on) für effiziente Designs.
Darüber hinaus ermöglichen die Spezifikationen für die Gate-Source-Spannung laut Infineon ein einfaches Ansteuern und Integrieren der MOSFETs. Wie die anderen Komponenten der P7-Familie bieten auch die neuen Leistungsschalter eine integrierte Zener-Diode als Schutz bei elektrostatischen Entladungen (ESD). Damit wird die Bestückung vereinfacht, während sich zusätzlich eine geringere Fehlerrate im Feld und geringere Kosten bedingt durch elektrostatische Produktionsfehler ergeben sollen.
Schaltverluste nochmals reduziert
Die 950-V-CoolMOS-P7-Bauelemente ermöglichen eine Erhöhung des Wirkungsgrades um bis zu einen Prozent und eine um zwei bis zehn Grad Celsius geringere MOSFET-Temperatur für effiziente Designs. Im Vergleich zu den Vorgänger-Generationen der CoolMOS-Familie konnten die Schaltverluste nochmals um bis zu 58 Prozent reduziert werden. Damit seien sie nach Herstellerangaben um etwa 50 Prozent geringer im Vergleich zu entsprechenden Wettbewerbs-Technologien.
Die 950-V-CoolMOS-P7-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar: TO-220 FullPAK, TO-251 IPAK LL, TO-252 DPAK und SOT-223. So kann von Durchsteck-Varianten (THT) auf SMT-Bestückung gewechselt werden.
