Der leistungsfähig 1Ω-Gate-Treiber im LTC7000/-1 will MOSFETs mit großer Gate-Kapazität steilflankig ansteuern. Der Chip eignet sich dadurch ideal sowohl für Hochfrequenz- als auch statische Schaltanwendungen.

Bild: Analog Devices
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MOSFET-Treiber Hält noch höhere Betriebsspannungen aus

26.06.2017

Analog Devices präsentiert den LTC7000/-1, einen schnellen High-Side-n-Kanal MOSFET-Treiber für Betriebsspannungen bis 150V.

Eine interne Ladungspumpe soll es ermöglichen, dass der externe n-Kanal-MOSFET-Schalter beliebig lange im On-Zustand verbleiben kann. Der Eingangsspannungsbereich des LTC7000/-1 geht von 3,5 bis 135V (150VS) und der Biasspannungsbereich von 3,5 bis 15V. Der Treiber überwacht den Ausgangsstrom des externen MOSFETs durch Messung des Spannungsabfalls über einem externen Messwiderstand in dessen Drain-Stromkreis und erkennt dadurch eine etwaige Überstrombedingung. Wenn der Schalterstrom einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet, setzt der LTC7000/-1 ein Fehlerflag und schaltet den externen MOSFET für eine bestimmte Zeit, die durch einen externen Timing-Kondensator vorgegeben wird, aus. Danach versucht der LTC7000/-1 automatisch einen Neustart.

Der LTC7000/-1 ist dafür vorgesehen, einen High-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, dessen Drain-Spannung bis zu 150V betragen kann, steilflankig zu treiben, und wird seinerseits durch ein massebezogenes, niederpegeliges digitales Eingangssignal angesteuert. Die kurzen Anstiegs-/Abfallzeiten von nur 13ns bei 1.000pF Lastkapazität minimieren die Schaltverluste.

Die Vollversion LTC7000 bietet zusätzlich zu den Funktionen des LTC7000-1 noch eine Reihe von Besonderheiten, darunter Enable-Pin, Überspannungsabschaltung, einstellbare Strombegrenzung und Stromüberwachung.

Für breite Temperaturbereiche geeignet

Der LTC7000 besitzt ein MSOP-16-Gehäuse und der LTC7000-1 ein MSOP-16- (12) Gehäuse, bei dem vier Anschlüsse weggelassen wurden, um die für Hochspannungsanwendungen erforderlichen Luft- und Kriechstrecken einzuhalten. Der Chip ist in einer Version für den erweiterten und den industriellen Sperrschichttemperaturbereich (-40 bis +125 Grad Celsius), einer Hochtemperaturversion (-40 bis +150 Grad Celsius) für Automobil-Anwendungen und einer militärischen Version (-55 bis +150 Grad Celsius) erhältlich.

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