Toshiba Electronics Europe hat seinen schnell schaltenden, integrierten IGBT GT40RR21, der eine Nennspannung bis 1.350 V bietet, für spannungsresonante Wechselrichter entwickelt. Laut Hersteller eignet er sich für Sperrschichttemperaturen bis 175 °C. Bei 25 °C beträgt der maximale Kollektorstrom 40 A. Dieser soll bei einer Temperatur von 100 °C um nur 5 A fallen. Die typische Sättigungsspannung bei 25 °C (UCS(sat)) beträgt 2 V, die maximale Dioden-Durchlassspannung 3 V und der maximale Dioden-Durchlassstrom 20 A, so das Unternehmen.
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Toshiba Electronics Europe GmbH
Düsseldorf, Deutschland
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