Cree hat eine neue Familie von Siliziumkarbid(SiC)-Bausteinen mit 50 A Nennstrom herausgebracht, darunter der nach Unternehmensangaben branchenweit erste Z-FET-SiC-MOSFET für 1.700V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200-V-Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec-SiC-Schottkydioden. Die als Die verfügbaren Bausteine sind für Hochleistungsmodule ausgelegt, die in Photovoltaik-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Antrieben zum Einsatz kommen. Produktionsstückzahlen sollen voraussichtlich ab Herbst 2012 verfügbar sein.
News 50-A-taugliche SiC-Leistungsbausteine
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