Infineon Technologies hat das OptiMOS-5-Produktportfolio um 8- V- und 100-V-MOSFETs erweitert. Diese Leistungs-MOSFETs sollen für hohe Schaltfrequenzen ausgelegt sein, die bei Anwendungen mit Synchrongleichrichtern für Telekommunikationsanlagen und Servernetzteile sowie in Industrieanwendungen wie beispielsweise Solaranlagen, Niederspannungsantrieben und Netzteilen zum Einsatz kommen. Die OptiMOS-5-MOSFETs bieten gemäß Hersteller den branchenweit geringsten Einschaltwiderstand (RDS(on)), der im Vergleich zur vorherigen Generation bei 80-V-Leistungshalbleitern bis zu 45 Prozent niedriger und bei 100-V-Leistungshalbleitern bis zu 24 Prozent niedriger ausfällt.
Die OptiMOS-5-80-V-Variante bietet nach Unternehmensangaben gegenüber seinen Vorgängermodellen einen um 38 Prozent niedrigeren Ausgangsstrom, und die OptiMOS-5-100-V-Variante einen um 25 Prozent niedrigeren Ausgangsstrom. Dies bedeutet geringere Schaltverluste und Spannungsüberschwingungen bei hart schaltenden Topologien und Synchrongleichrichtern und ermöglicht eine schnellere Anwendungsentwicklung und damit verbunden niedrigere Kosten. Die um 24 Prozent geringere Gate-Ladung des 80-V-MOSFETs und die um 29 Prozent geringere der 100-V-Variante reduziert zudem Schaltverluste insbesondere im Schwachlastbetrieb und in Anwendungen mit hohem Effizienzbedarf während des gesamten Lastbereichs etwa bei Mikro-Wechselrichtern und Leistungsoptimierern für Solaranwendungen, so Infineon.
Die OptiMOS-5-80-V- und -100 V-MOSFETs werden in sieben verschiedenen Gehäusen angeboten: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D²PAK und D²PAK 7Pin mit einem RDS(on) von 1-4 mΩ, 4-8 mΩ und 8-2 mΩ für die 80-V-Variante und 1-4 mΩ, 4-8 mΩ und 8-10 mΩ für die 100-V-Variante.
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