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Bild: iStock, Maxiphoto

NRAM-Chips Bald kommen die ersten Nano-Speicher

16.09.2016

Der japanische Konzern Fujitsu Semiconductor hat die Lizenz auf eine Neuheit erworben: Non-Volatile Random Access Memory, kurz NRAM, ist eine von der US-Firma Nantero entwickelte Speichertechnik auf Basis von Nano-Röhrchen.

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Mit der Lizenz will Fujitsu Produkte mit NRAM-Speicher in Serie fertigen, wozu unter anderem ein System-on-a-Chip mit integrierten 256 MBit zählt. Dieser soll 2018 angefertigt sein, danach sollen weitere NRAM-Chips für verschiedene Bereiche folgen.

Bei den Nano-Röhrchen handelt es sich um einen nicht-flüchtigen Speicher, ähnlich wie bei Flash, bei dem die Informationen dauerhaft gespeichert werden. Flash ist eine Technik, die Daten langfristig erhält und dabei einen sehr geringen Energieverbrauch vorweist. Der Vorteil des NRAM-Speichers ist, dass er bis zu tausendmal beständiger sein soll als Flash.

NRAM-Zellen setzen sich aus mehreren Lagen von Nano-Röhrchen zusammen, die sich zwischen zwei Elektronen befinden. Durch Stromzufuhr ändert sich die Ausrichtung der Röhrchen, wodurch der Widerstand geringer wird. Besonders daran ist, dass die neue Anordnung der Röhrchen, die sie durch die Leitfähigkeit erhalten haben, auch ohne Stromanschluss erhalten bleibt.

Momentan wird der NRAM mit einem Bit pro Zelle, so genannten Single-Level-Cells, produziert. Künftig soll er auch mit zwei oder mehreren Bit pro Zelle, den Multi-Level-Cells, hergestellt werden. Dabei sollen mehrere Schichten und eine Gesamtgröße von 28 nm vorhanden sein, aus denen dann Multi-Gigabyte-Produkte entstehen können.

Bislang versuchen die Hersteller vier bis acht Schichten herzustellen. Auf langfristige Sicht soll NRAM den bisherigen DRAM-Speicher ersetzen.

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