Energiemanagement ROHM Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

SiC-Technologie in der Formel E.

Bild: ROHM Semiconductor
18.10.2016

ROHM Semiconductor präsentierte seine Siliziumkarbid-Technologie – kurz SiC – beim ersten Rennen der neuen Formel-E-Saison 2016/2017 in Hongkong. Pünktlich zum Serienstart feierte der führende japanische Halbleiterhersteller sein Debüt als Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams.

Das Besondere dieser Partnerschaft verbirgt sich hinter dem Energiemanagement. Die Herausforderung für Teams und Fahrer liegt zum einen im effizienten Einsatz der zur Verfügung stehenden Energie und zum anderen darin, die Batterieleistung bestmöglich auf die Rennstrecke zu bringen. Hier kommt die von ROHM entwickelte Halbleitertechnologie mit Siliziumkarbid zum Einsatz.

Im Vergleich zum herkömmlichen Silizium kann das Material höhere Lasten und Spannungen verarbeiten und verbraucht dabei weniger Energie – selbst unter hohen Temperaturen. Durch den Einsatz von SiC als Kernelement der Partnerschaft erhoffen sich Venturi und ROHM Wettbewerbsvorteile im Rennen um den Sieg. Gemeinsames Ziel ist es, die technologische Weiterentwicklung anzuführen und die Energieeffizienz der elektronischen Systeme weiter zu steigern

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